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    1.3-μm InGaAs MQW Metamorphic Laser Diode Fabricated With Lattice Relaxation Control Based on In Situ Curvature Measurement
    Matsuo, Shinji ; Kobayashi, Wataru ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 21 (2015-11-01), S. 201-207
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    Carrier Transport in InGaN MQWs of Aquamarine- and Green-Laser Diodes
    Coleman, Sean ; Bhat, Rajaram ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 17 (2011-09-01), S. 1390-1401
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    Wavelength demultiplexer using GaInAs-InP MQW-based variable refractive-index arrayed waveguides fabricated by selective MOVPE
    Shimotaya, S. ; Shimomura, Kazuhiko ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 11 (2005), S. 211-216
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    1.3-/spl mu/m AlGaInAs strain compensated MQW-buried-heterostructure lasers for uncooled 10-gb/s operation
    Nakamura, T. ; Tsukuda, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 11 (2005), S. 141-148
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    Four-channel 10-Gb/s operation of AlGaInAs-MQW-BH-DFB-LD array for 1.3-/spl mu/m CWDM systems
    Nakamura, T. ; Kato, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 11 (2005-09-01), S. 1169-1173
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    1.3-μm InAsP n-type modulation-doped MQW lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy
    Kasukawa, Akihiko ; Kumada, K. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 5 (1999), S. 449-456
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    Novel laser structures based on MQW interdiffusion using rapid thermal annealing technique
    Hao, Zhibiao ; Sun, Changzheng ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 4 (1998), S. 736-740
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    Lasing mechanism of InGaN-GaN-AlGaN MQW laser diode grown on SiC by low-pressure metal-organic vapor phase epitaxy
    Kubota, S. ; Tanahashi, Toshiyuki ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 4 (1998), S. 490-497
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    High-efficiency InGaN-GaN MQW green light-emitting diodes with CART and DBR structures
    Chen, C.H. ; Sheu, Jinn-Kong ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 8 (2002), S. 284-288
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    Refractive index and loss changes produced by current injection in InGaAs(P)-InGaAsP multiple quantum-well (MQW) waveguides
    Yamaguchi, M. ; Delansay, P. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 1 (1995-06-01), S. 408-415
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    The temperature dependence of 1.3- and 1.5-μm compressively strained InGaAs(P) MQW semiconductor lasers
    Sweeney, Stephen J. ; Thijs, P.J.A. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 5 (1999), S. 401-412
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    Strongly gain-coupled (SGC) coolerless (-40°C∼+85°C) MQW DFB lasers
    Blaauw, C. ; Dzioba, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 5 (1999), S. 442-448
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    Experimental analysis of temperature dependence in 1.3-μm AlGaInAs-InP strained MQW lasers
    O'Reilly, Eoin P. ; Higashi, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 5 (1999), S. 413-419
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    High-power and high-speed performance of 1.3-μm strained MQW gain-coupled DFB lasers
    Blaauw, C. ; Makino, Toshi ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 1 (1995-06-01), S. 375-381
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    1.5-μm InGaAsP-InP multigain-levered-MQW-DFB-LD with high-efficiency and large-bandwidth FM response
    Yamaguchi, M. ; Kitamura, Mitsuhiro ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 1 (1995-06-01), S. 516-522
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    Modulation doped SiGe-Si MQW for low-voltage high-speed modulators at 1.3 μm
    Vescan, L. ; Vonsovici, A.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 4 (1998), S. 1011-1019
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    The effect of carrier transport on the dynamic performance of gain-saturation wavelength conversion in MQW semiconductor optical amplifiers
    Asghari, M. ; Annetts, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 3 (1997-04-01), S. 320-329
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    High-speed optoelectronic VLSI switching chip with <4000 optical I/O based on flip-chip bonding of MQW modulators and detectors to silicon CMOS
    D'Asaro, L.A. ; Tseng, B. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 2 (1996-04-01), S. 77-84
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    Corrections To 'Lasing Mechanism Of InGaN-GaN-AlGaN MQW Laser Diode Grown On SiC By Low-pressure Metal~organic Vapor Phase Epitaxy'
    Tanahashi, Toshiyuki ; Kubota, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 4 (1998-07-01), S. 803-803
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    High-Performance Back-Illuminated Ge0.92Sn0.08/Ge Multiple-Quantum-Well Photodetector on Si Platform For SWIR Detection
    Xu, Shengqiang ; Chuan Seng Tan ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 28 (2022-03-01), S. 1-9
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