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    A 2.4 GS/s, Single-Channel, 31.3 dB SNDR at Nyquist, Pipeline ADC in 65 nm CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Sundstrom, T. ; Svensson, C. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1575-1584
    Online Konferenz
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    A TX VCO for WCDMA/EDGE in 90 nm RF CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Andreani, P. ; Kozmin, K. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1618-1626
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    A 7 mW 20 MHz BW Time-Encoding Oversampling Converter Implemented in a 0.08 mm Formula Not Shown 65 nm CMOS Circuit : Solid state circuits ESSCIRC
    Prefasi, E. ; Paton, S. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1562-1574
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    A Flip-Chip-Packaged 25.3 dBm Class-D Outphasing Power Amplifier in 32 nm CMOS for WLAN Application : Solid state circuits ESSCIRC
    Xu, H. ; Palaskas, Y. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1596-1605
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    A 5 Mb/s UWB-IR Transceiver Front-End for Wireless Sensor Networks in 0.13 Formula Not Shown CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Solda, S. ; Caruso, M. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1636-1647
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Monolithic Capacitive DC-DC Converter With Single Boundary–Multiphase Control and Voltage Domain Stacking in 90 nm CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Van Breussegem, T. M. ; Steyaert, M. S.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1715-1727
    Online Konferenz
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    Volltext
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    A 65-nm CMOS Temperature-Compensated Mobility-Based Frequency Reference for Wireless Sensor Networks : Solid state circuits ESSCIRC
    Sebastiano, F. ; Breems, L. J. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1544-1552
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A Fully-Integrated, Short-Range, Low Data Rate FM-UWB Transmitter in 90 nm CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Saputra, N. ; Long, J. R.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1627-1635
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A 1.8 Formula Not Shown W 60 nV Formula Not Shown Hz Capacitively-Coupled Chopper Instrumentation Amplifier in 65 nm CMOS for Wireless Sensor Nodes : Solid state circuits ESSCIRC
    Fan, Q. ; Sebastiano, F. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1534-1543
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Low Phase Noise, Wideband and Compact CMOS PLL for Use in a Heterodyne 802.15.3c Transceiver : Solid state circuits ESSCIRC
    Murphy, D. ; Gu, Q. J. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1606-1617
    Online Konferenz
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 2x2 MIMO Tri-Band Dual-Mode Direct-Conversion CMOS Transceiver for Worldwide WiMAX/WLAN Applications : Solid state circuits ESSCIRC
    Lim, K. ; Min, S. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1648-1658
    Online Konferenz
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 40 nm CMOS 0.4–6 GHz Receiver Resilient to Out-of-Band Blockers : Solid state circuits ESSCIRC
    Borremans, J. ; Mandal, G. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1659-1671
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 0.8-V Resistor-Based Temperature Sensor in 65-nm CMOS With Supply Sensitivity of 0.28 °C/V
    Park, H. ; Kim, J.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 53 (2018), Heft 3, S. 906-912
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 9-bit 215 MS/s Folding-Flash Time-to-Digital Converter Based on Redundant Remainder Number System in 45-nm CMOS
    Wu, B. ; Zhu, S. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 53 (2018), Heft 3, S. 839-849
    Online serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 9-mm2 Ultra-Low-Power Highly Integrated 28-nm CMOS SoC for Internet of Things
    Pu, Y. ; Shi, C. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 53 (2018), Heft 3, S. 936-948
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 23-mW Face Recognition Processor with Mostly-Read 5T Memory in 40-nm CMOS
    Jeon, D. ; Dong, Q. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 52 (2017), Heft 6, S. 1628-1642
    Online serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Low-Power Digitizer for Back-Illuminated 3-D-Stacked CMOS Image Sensor Readout With Passing Window and Double Auto-Zeroing Techniques
    Liu, Q. ; Edward, A. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 52 (2017), Heft 6, S. 1591-1604
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Hybrid CMOS/GaN 40-MHz Maximum 20-V Input DC–DC Multiphase Buck Converter
    Aklimi, E. ; Piedra, D. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 52 (2017), Heft 6, S. 1618-1627
    Online serialPeriodical
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    A Compact Broadband Mixed-Signal Power Amplifier in Bulk CMOS With Hybrid Class-G and Dynamic Load Trajectory Manipulation
    Hu, S. ; Kousai, S. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 52 (2017), Heft 6, S. 1463-1478
    Online serialPeriodical
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    A 1.2-GS/s 8-bit Two-Step SAR ADC in 65-nm CMOS With Passive Residue Transfer
    Huang, H. ; Du, L. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 52 (2017), Heft 6, S. 1551-1562
    Online serialPeriodical
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