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    A 2—11 GHz 7-Bit High-Linearity Phase Rotator Based on Wideband Injection-Locking Multi-Phase Generation for High-Speed Serial Links in 28-nm CMOS FDSOI : 46th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC)
    Monaco, E. ; Anzalone, G. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 52 (2017), Heft 7, S. 1739-1752
    Online Konferenz
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    A 65-nm CMOS Wideband TDD Front-End With Integrated T/R Switching via PA Re-Use : 46th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC)
    Xiao, X. ; Pratt, A. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 52 (2017), Heft 7, S. 1768-1782
    Online Konferenz
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    Volltext
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    A 174.3-dB FoM VCO-Based CT ΔΣ Modulator With a Fully-Digital Phase Extended Quantizer and Tri-Level Resistor DAC in 130-nm CMOS : 46th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC)
    Li, S. ; Mukherjee, A. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 52 (2017), Heft 7, S. 1940-1952
    Online Konferenz
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    An Energy-Efficient Hybrid SAR-VCO ΔΣ Capacitance-to-Digital Converter in 40-nm CMOS : 46th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC)
    Sanyal, A. ; Sun, N.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 52 (2017), Heft 7, S. 1966-1976
    Online Konferenz
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    An All-Digital Fully Integrated Inductive Buck Regulator With A 250-MHz Multi-Sampled Compensator and a Lightweight Auto-Tuner in 130-nm CMOS : 46th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC)
    Kar, M. ; Singh, A. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 52 (2017), Heft 7, S. 1825-1835
    Online Konferenz
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    A Hybrid Multi-Path CMOS Magnetic Sensor With 76 ppm/°C Sensitivity Drift and Discrete-Time Ripple Reduction Loops : 46th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC)
    Jiang, J. ; Makinwa, K. A. A.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 52 (2017), Heft 7, S. 1876-1884
    Online Konferenz
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    A Sub-0.5 Electron Read Noise VGA Image Sensor in a Standard CMOS Process : IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
    Boukhayma, A. ; Peizerat, A. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 9, S. 2180-2191
    Online Konferenz
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    Multigate-Cell Stacked FET Design for Millimeter-Wave CMOS Power Amplifiers : IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
    Jayamon, J. A. ; Buckwalter, J. F. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 9, S. 2027-2039
    Online Konferenz
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    Capacitively-Coupled CMOS VCSEL Driver Circuits : IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
    Kozlov, V. ; Carusone, A. Chan
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 9, S. 2077-2090
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 0.56 THz Phase-Locked Frequency Synthesizer in 65 nm CMOS Technology : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Zhao, Y. ; Chen, Z. Z. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 3005-3019
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 0.076 mm^2 12 b 26.5 mW 600 MS/s 4-Way Interleaved Subranging SAR-ΔΣ ADC With On-Chip Buffer in 28 nm CMOS : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Venca, A. ; Ghittori, N. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 2951-2962
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 24.7 mW 65 nm CMOS SAR-Assisted CT ΔΣ Modulator With Second-Order Noise Coupling Achieving 45 MHz Bandwidth and 75.3 dB SNDR : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Wu, B. ; Zhu, S. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 2893-2905
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 300 GHz CMOS Transmitter With 32-QAM 17.5 Gb/s/ch Capability Over Six Channels : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Katayama, K. ; Takano, K. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 3037-3048
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Digital PLL With Feedforward Multi-Tone Spur Cancellation Scheme Achieving <—73 dBc Fractional Spur and <—110 dBc Reference Spur in 65 nm CMOS : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Ho, C. R. ; Chen, M. S. W.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 3216-3230
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    An Oversampling SAR ADC With DAC Mismatch Error Shaping Achieving 105 dB SFDR and 101 dB SNDR Over 1 kHz BW in 55 nm CMOS : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Shu, Y. S. ; Kuo, L. T. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 2928-2940
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    A 12 Gb/s 0.9 mW/Gb/s Wide-Bandwidth Injection-Type CDR in 28 nm CMOS With Reference-Free Frequency Capture : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Masuda, T. ; Shinoda, R. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 3204-3215
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 5.5 mW ADPLL-Based Receiver With a Hybrid Loop Interference Rejection for BLE Application in 65 nm CMOS : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Sai, A. ; Okuni, H. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 3125-3136
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    A 2 GHz 244 fs-Resolution 1.2 ps-Peak-INL Edge Interpolator-Based Digital-to-Time Converter in 28 nm CMOS : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Sievert, S. ; Degani, O. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 2992-3004
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Highly Efficient and Linear Power Amplifier for 28-GHz 5G Phased Array Radios in 28-nm CMOS : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Shakib, S. ; Park, H. C. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 3020-3036
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 32 Gb/s Bidirectional 4-channel 4 pJ/b Capacitively Coupled Link in 14 nm CMOS for Proximity Communication : IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
    Thakkar, C. ; Sen, S. ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 51 (2016), Heft 12, S. 3231-3245
    Online Konferenz
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