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    A Fully Integrated Cryo-CMOS SoC for State Manipulation, Readout, and High-Speed Gate Pulsing of Spin Qubits
    Suzuki, Satoshi ; Lampert, Lester ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-11-01), S. 3289-3306
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    A Single-Trim Switched Capacitor CMOS Bandgap Reference With a 3σ Inaccuracy of +0.02%, −0.12% for Battery-Monitoring Applications
    Kim, Ho-Jin ; Cho, Kang-Il ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-04-01), S. 1197-1206
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    A VHF Wide-Input Range CMOS Passive Rectifier With Active Bias Tuning
    Lu, Yan ; Martins, Rui P. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-10-01), S. 2629-2638
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    Hybrid Dickson Switched-Capacitor Converter With Wide Conversion Ratio in 65-nm CMOS
    Assem, Pourya ; Liu, Wen-Chuen ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-09-01), S. 2513-2528
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    A 7-nm FinFET CMOS PLL With 388-fs Jitter and −80-dBc Reference Spur Featuring a Track-and-Hold Charge Pump and Automatic Loop Gain Control
    Ting-Kuei, Kuan ; Ko, Chen-Ting ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-04-01), S. 1043-1050
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    Analysis and Design of Wideband I/Q CMOS 100–200 Gb/s Modulators
    Al-Rubaye, Hasan ; Rebeiz, Gabriel M.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-09-01), S. 2361-2374
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    A 230-GHz High-Power and Wideband Coupled Standing Wave VCO in 65-nm CMOS
    Jalili, Hossein ; Momeni, Omeed
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-03-01), S. 547-556
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    A Second-Order Purely VCO-Based CT $\Delta\Sigma$ ADC Using a Modified DPLL Structure in 40-nm CMOS
    Zhao, Wenda ; Sun, Nan ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-02-01), S. 356-368
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    An 11-nW CMOS Temperature-to-Digital Converter Utilizing Sub-Threshold Current at Sub-Thermal Drain Voltage
    Takamiya, Makoto ; Sakurai, Takayasu ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-03-01), S. 613-622
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    Ultra-Low Power 18-Transistor Fully Static Contention-Free Single-Phase Clocked Flip-Flop in 65-nm CMOS
    Cai, Yunpeng ; Savanth, Anand ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-02-01), S. 550-559
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    A 93.3% Peak-Efficiency Self-Resonant Hybrid-Switched-Capacitor LED Driver in 0.18- <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math> m CMOS Technology
    Castellanos, Juan C. ; Cantatore, Eugenio ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-07-01), S. 1924-1935
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    A 290-mV, 3.34-MHz, 6T SRAM With pMOS Access Transistors and Boosted Wordline in 65-nm CMOS Technology
    Sachdev, Manoj ; Nabavi, Morteza
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-02-01), S. 656-667
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    A 32.75-Gb/s Voltage-Mode Transmitter With Three-Tap FFE in 16-nm CMOS
    Chin Yang Koay ; Kee Hian Tan ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-10-01), S. 2663-2678
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    An Energy-Efficient Hybrid SAR-VCO $\Delta \Sigma $ Capacitance-to-Digital Converter in 40-nm CMOS
    Sanyal, Arindam ; Sun, Nan
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-07-01), S. 1966-1976
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    A Sub-0.5 Electron Read Noise VGA Image Sensor in a Standard CMOS Process
    Peizerat, Arnaud ; Enz, Christian ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 51 (2016-09-01), S. 2180-2191
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    A 36-V 49% Efficient Hybrid Charge Pump in Nanometer-Scale Bulk CMOS Technology
    Pamarti, Sudhakar ; Lee, Hae-Chang ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-03-01), S. 781-798
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    A 0.4 $\mu \text{g}$ Bias Instability and 1.2 $\mu \text{g}/\surd $ Hz Noise Floor MEMS Silicon Oscillating Accelerometer With CMOS Readout Circuit
    Zhao, Yang ; Guo Ming Xia ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-02-01), S. 472-482
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    A106nW 10 b 80 kS/s SAR ADC with duty-cycled reference generation in 65 nm CMOS
    Pelzers, Kevin ; Rainier van Dommele ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 51 (2016-10-01), Heft 10, S. 2435-2445
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    5.6 Mb/mm $^{2}$ 1R1W 8T SRAM Arrays Operating Down to 560 mV Utilizing Small-Signal Sensing With Charge Shared Bitline and Asymmetric Sense Amplifier in 14 nm FinFET CMOS Technology
    Guo, Zheng ; Nalam, Satyanand ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017), S. 229-239
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    A 0.0021 mm21.82 mW 2.2 GHz PLL Using Time-Based Integral Control in 65 nm CMOS
    Pavan Kumar Hanumolu ; Seong Joong Kim ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017), S. 8-20
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