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    A Sub-5mW Monolithic CMOS-MEMS Thermal Flow Sensing SoC With ±6 m/s Linear Range
    Xu, W. ; Li, Z. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-05-01), Heft 5, S. 1486-1496
    Online academicJournal
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    A Cryo-CMOS DAC-Based 40-Gb/s PAM4 Wireline Transmitter for Quantum Computing
    Fakkel, N. ; Mortazavi, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-05-01), Heft 5, S. 1433-1446
    Online academicJournal
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    Design of a Noncoherent 100-Gb/s 3-m Dual-Band PAM-4 Dielectric Waveguide Link in 28-nm CMOS
    Dens, K. ; Vaes, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-05-01), Heft 5, S. 1398-1408
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A 0.39-mm2 Stacked Standard-CMOS Humidity Sensor Using a Charge-Redistribution Correlated Level Shifting Floating Inverter Amplifier and a VCO-Based Zoom CDC
    Li, H. ; Du, K. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-02-01), Heft 2, S. 435-448
    Online academicJournal
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    A Low-Power Radiation-Hardened Ka-Band CMOS Phased-Array Receiver for Small Satellite Constellation
    Fu, X. ; You, D. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-02-01), Heft 2, S. 349-363
    Online academicJournal
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    A Low-Power 256-Element Ka-Band CMOS Phased-Array Receiver With On-Chip Distributed Radiation Sensors for Small Satellite Constellations
    Fu, X. ; You, D. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-12-01), Heft 12, S. 3380-3395
    Online academicJournal
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    A Transformer-Based Quadrature Doherty Digital Power Amplifier With 4.1 W Peak Power in 28 nm Bulk CMOS
    Li, J. ; Yin, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-12-01), Heft 12, S. 3296-3307
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 134×132 4-Tap CMOS Indirect Time-of-Flight Range Imager Using In-Pixel Memory Array With 10 Kfps High-Speed Mode and High Precision Mode
    Kuo, C. ; Kuroda, R.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-02-01), Heft 2, S. 492-501
    Online academicJournal
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    A 65-nm CMOS Fluorescence Sensor for Dynamic Monitoring of Living Cells
    Aghlmand, F. ; Hu, C.Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-11-01), Heft 11, S. 3003-3019
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Subtractive Photonics in Bulk CMOS
    Ives, C. ; Sarkar, D. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-11-01), Heft 11, S. 3030-3043
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    H-Band Power Amplifiers in 65-nm CMOS by Adopting Output Power Maximized Gmax-Core and Transmission Line-Based Zero-Degree Power Combining Networks
    Yun, B. ; Park, D. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-11-01), Heft 11, S. 3089-3102
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 0.004-mm2 3.65-mW 7-Bit 2-GS/s Single-Channel GRO-Based Time-Domain ADC Incorporating Dead-Zone Elimination and On-Chip Folding-Offset Calibration in 28-nm CMOS
    Zhang, C. ; Wei, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-11-01), Heft 11, S. 3179-3193
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Highly Efficient 165-GHz 4FSK 17-Gb/s Transceiver System With Frequency Overlapping Architecture in 65-nm CMOS
    Afzal, H. ; Li, C. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-11-01), Heft 11, S. 3113-3126
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    A Polar-Modulation-Based Cryogenic Transmon Qubit State Controller in 28 nm Bulk CMOS for Superconducting Quantum Computing
    Guo, Y. ; Liu, Q. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-11-01), Heft 11, S. 3060-3073
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    39 000-Subexposures/s Dual-ADC CMOS Image Sensor With Dual-Tap Coded-Exposure Pixels for Single-Shot HDR and 3-D Computational Imaging
    Gulve, R. ; Sarhangnejad, N. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-11-01), Heft 11, S. 3150-3163
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 0.190-pJ/bit 25.2-Gb/s/wire Inverter-Based AC-Coupled Transceiver for Short-Reach Die-to-Die Interfaces in 5-nm CMOS
    Nishi, Y. ; Poulton, J.W. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-04-01), Heft 4, S. 1146-1157
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 120-GHz Class-F Frequency Doubler With 7.8-dBm POUT in 55-nm Bulk CMOS
    Yang, Z. ; Ma, K. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-08-01), Heft 8, S. 2173-2188
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Portable CMOS-Based Spin Resonance System for High-Resolution Spectroscopy and Imaging
    Kruger, D. ; Zhang, A. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-07-01), Heft 7, S. 1838-1849
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Design and Analysis of a 4.2 mW 4 K 6–8 GHz CMOS LNA for Superconducting Qubit Readout
    Caglar, A. ; Van Winckel, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-06-01), Heft 6, S. 1586-1596
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    A 300-GHz 52-mW CMOS Receiver With On-Chip LO Generation
    Memioglu, O. ; Zhao, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-08-01), Heft 8, S. 2141-2156
    Online academicJournal
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