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    The Impact of LCE and PAMDLE Regarding Different CMOS ICs Nodes and High Temperatures
    Salvador Pinillos Gimenez ; Renaux, Christian ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 415-423
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    Comparison of LER Induced Mismatch in NWFET and NSFET for 5-nm CMOS
    Gupta, Anshul ; Vega, Reinaldo A. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1184-1192
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    Comprehensive n- and pMOSFET Channel Material Benchmarking and Analysis of CMOS Performance Metrics Considering Quantum Transport and Carrier Scattering Effects
    Kim, Raseong ; Young, Ian A. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 505-523
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    A CMOS Low Power Current Source Tunable Inductor With 80% Tuning Range for RFIC
    Norlaili Mohd Noh ; Ibrahim, Shahrolhafiz S. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1210-1218
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    28-nm FD-SOI CMOS RF Figures of Merit Down to 4.2 K
    Nyssens, Lucas ; Planes, Nicolas ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 646-654
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    Single-Crystalline Si-CMOS Circuit Fabrication on Polyethylene Terephthalate Substrate by Meniscus Force-Mediated Layer Transfer
    Mizukami, Ryutatsu ; Hanafusa, Hiroaki ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 943-948
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    Thermal Analysis of Ultimately-Thinned-and-Transfer-Bonded CMOS on Mechanically Flexible Foils
    Robillard, Jean-François ; Okada, Etienne ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 973-978
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    A Low-Energy High-Density Capacitor-Less I&F Neuron Circuit Using Feedback FET Co-Integrated With CMOS
    Park, Kyungchul ; Lee, Junil ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 1080-1084
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    InGaAs FinFETs 3-D Sequentially Integrated on FDSOI Si CMOS With Record Performance
    Caimi, Daniele ; Sousa, Marilyne ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 1170-1174
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    Ge FinFET CMOS Inverters With Improved Channel Surface Roughness by Using In-Situ ALD Digital O3 Treatment
    Luo, G.-L. ; Hong, T.-C. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1227-1232
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    Ultrahigh-Sensitive CMOS pH Sensor Developed in the BEOL of Standard 28 nm UTBB FDSOI
    Souifi, Abdelkader ; Drouin, Dominique ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1026-1032
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    High-Voltage 12.5-V Backside-Illuminated CMOS Photovoltaic Mini-Modules
    Lu, Chen-Han ; Su, Hsiu-Wei ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 135-138
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    Simulation Study of Vertically Stacked Lateral Si Nanowires Transistors for 5-nm CMOS Applications
    Al-Ameri, Talib ; Adamu-Lema, Fikru ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-11-01), S. 466-472
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    Design and Application of Virtual Inductance of Square-Shaped Defected Ground Structure in 0.18- $\mu \text{m}$ CMOS Technology
    Pokharel, Ramesh K. ; Kaho, Takana ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017), Heft 5, S. 299-305
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    P-Channel and N-Channel Super-Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI-FET for Ultralow Power CMOS
    Mori, Takayuki ; Ida, Jiro
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1213-1219
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    Gettering Sinks for Metallic Impurities Formed by Carbon-Cluster Ion Implantation in Epitaxial Silicon Wafers for CMOS Image Sensor
    Sueoka, Koji ; Hirose, Ryo ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1200-1206
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    GAAFET Versus Pragmatic FinFET at the 5nm Si-Based CMOS Technology Node
    Fossum, Jerry G. ; Huang, Ya-Chi ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-05-01), S. 164-169
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    CMOS Image Sensor Random Telegraph Noise Time Constant Extraction From Correlated To Uncorrelated Double Sampling
    Chou, Kuo-Yu ; Hsueh, Fu-Lung ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017), Heft 1, S. 79-89
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    Series Resistance Reduction in Stacked Nanowire FETs for 7-nm CMOS Technology
    Hook, Terence B. ; Dixit, Abhisek ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016-09-01), S. 266-272
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    2.4 kV Vertical GaN PN Diodes on Free Standing GaN Wafer Using CMOS-Compatible Contact Materials
    Chien, Feng-Tso ; Kao, Hsuan-Ling ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 825-829
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