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    Study on CDM ESD Robustness Among On-Chip Decoupling Capacitors in CMOS Integrated Circuits
    Huang, Yi-Chun ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 881-890
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    Comprehensive n- and pMOSFET Channel Material Benchmarking and Analysis of CMOS Performance Metrics Considering Quantum Transport and Carrier Scattering Effects
    Kim, Raseong ; Young, Ian A. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 505-523
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    Simulation of CMOS APS Operation and Crosstalk in SPICE With Generalized Devices
    Sallese, Jean-Michel ; Rossi, Chiara
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 376-384
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    Single-Crystalline Si-CMOS Circuit Fabrication on Polyethylene Terephthalate Substrate by Meniscus Force-Mediated Layer Transfer
    Mizukami, Ryutatsu ; Hanafusa, Hiroaki ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 943-948
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    A Low-Energy High-Density Capacitor-Less I&F Neuron Circuit Using Feedback FET Co-Integrated With CMOS
    Park, Kyungchul ; Lee, Junil ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 1080-1084
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    Ultrahigh-Sensitive CMOS pH Sensor Developed in the BEOL of Standard 28 nm UTBB FDSOI
    Souifi, Abdelkader ; Drouin, Dominique ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1026-1032
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    GAAFET Versus Pragmatic FinFET at the 5nm Si-Based CMOS Technology Node
    Fossum, Jerry G. ; Huang, Ya-Chi ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-05-01), S. 164-169
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    A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors
    Fossum, Eric R. ; Hondongwa, Donald
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 2 (2014), Heft 3, S. 33-43
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    Pixel Level Characterization of Pinned Photodiode and Transfer Gate Physical Parameters in CMOS Image Sensors
    Pelamatti, Alice ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2014-07-01
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    CMOS-SOI-MEMS Uncooled Infrared Security Sensor With Integrated Readout
    Saraf, Tomer ; Blank, Tanya ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016), Heft 3, S. 155-162
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Low-Power Vertical Tunnel Field-Effect Transistor Ternary Inverter
    Kwon, Daewoong ; Hyun Woo Kim
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 286-294
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    1T1C FeRAM Memory Array Based on Ferroelectric HZO With Capacitor Under Bitline
    Tsukamoto, Masanori ; Mikolajick, Thomas ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 29-34
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    Parasitic Capacitance Analysis of Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
    Gaillardon, Pierre-Emmanuel ; Cadareanu, Patsy ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 400-408
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Under-FET Thermal Sensor Enabling Smart Full-Chip Run-Time Thermal Management
    Li, Cheng ; Chen, Qi ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1242-1248
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Novel 10-nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate
    Yin, Huaxiang ; Pan, Yu ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 483-488
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    Rail-to-Rail Timing Signals Generation Using InGaZnO TFTs For Flexible X-Ray Detector
    Rovisco, Ana ; Martins, Jorge ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 157-162
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    GaN Nanotube FET With Embedded Gate for High Performance, Low Power Applications
    Deng, Zhongliang ; Han, Ke ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 925-929
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Germanium Twin-Transistor Nonvolatile Memory With FinFET Structure
    Lee, Yao-Jen ; Yeh, Mu-Shih ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 589-593
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    3D TCAD Analysis Enabling ESD Layout Design Optimization
    Pan, Zijin ; Li, Cheng ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1289-1296
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    Punch-Through Stop Doping Profile Control via Interstitial Trapping by Oxygen-Insertion Silicon Channel
    Burton, Richard ; Hytha, Marek ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 481-486
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