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    A 65nm Cryogenic CMOS Design and Performance at 4.2K for Quantum State Controller Application
    Tada, M. ; Okamoto, K. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 28-33
    Online academicJournal
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    OLED Microdisplay With Monolithically Integrated CAAC-OS FET and Si CMOS Achieved by Two-Dimensionally Arranged Silicon Display Drivers
    Kozuma, M. ; Komura, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 187-194
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Cryogenic Small Dimension Effects and Design-Oriented Scalable Compact Modeling of a 65-nm CMOS Technology
    Gatti, A. ; Tavernier, F.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 369-378
    Online academicJournal
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    Volltext
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    1-Mbit 3-D DRAM Using a Monolithically Stacked Structure of a Si CMOS and Heterogeneous IGZO FETs
    Hirose, T. ; Okamoto, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 236-242
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Design and Thermal Analysis of 2.5D and 3-D Integrated System of a CMOS Image Sensor and a Sparsity-Aware Accelerator for Autonomous Driving
    Sharda, J. ; Manley, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 426-432
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Machine Learning-Based Modeling of Hot Carrier Injection in 40 nm CMOS Transistors
    Xhafa, X. ; Gungordu, A.D. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 281-288
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Performance Analysis on Complementary FET (CFET) Relative to Standard CMOS With Nanosheet FET
    Jung, S. ; Jang, D. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 78-82
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Silicon Wafer Gettering Design for Advanced CMOS Image Sensors Using Hydrocarbon Molecular Ion Implantation: A Review
    Kurita, K. ; Kadono, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 720-727
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Low-Power CMOS Image Sensor With Multiple-Column-Parallel Readout Structure
    Hyeon, J. ; Kim, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 180-187
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    GaN-Based GAA Vertical CMOS Inverter
    Liu, X. ; Yang, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 224-228
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Comparison of Two in Pixel Source Follower Schemes for Deep Subelectron Noise CMOS Image Sensors
    Boukhayma, A. ; Kraxner, A. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 687-695
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Temperature-Dependent Narrow Width Effects of 28-nm CMOS Transistors for Cold Electronics
    Tsai, T. ; Lin, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 289-296
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Performance Enhancement of Asymmetrical Double Gate Junctionless CMOS Inverter With 3-nm Critical Feature Size Using Charge Sheet
    Bavir, M. ; Abbasi, A. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 334-340
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    3-D Monolithic Stacking of Complementary-FET on CMOS for Next Generation Compute-In-Memory SRAM
    Baig, M.A. ; Yeh, C. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 107-113
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Investigation of CDM ESD Protection Capability Among Power-Rail ESD Clamp Circuits in CMOS ICs With Decoupling Capacitors
    Huang, Y. ; Ker, M.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 84-94
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Overview on Latch-Up Prevention in CMOS Integrated Circuits by Circuit Solutions
    Ker, M. ; Jiang, Z.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 141-152
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Sensitivity Improvement of a Fully Symmetric Vertical Hall Device Fabricated in 0.18 μm Low-Voltage CMOS Technology
    Huang, H. ; Xu, Y.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 820-826
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The Impact of LCE and PAMDLE Regarding Different CMOS ICs Nodes and High Temperatures
    Salerno Galembeck, E.H. ; Renaux, C. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 415-423
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Characterization and Modeling of Self-Heating in Nanometer Bulk-CMOS at Cryogenic Temperatures
    T Hart, P.A. ; Babaie, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 891-901
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Analysis of CMOS Extended-Gate Field-Effect Transistor With On-Chip Window Based on Uricase/RuO2 Sensing Film
    Kuo, P. ; Chen, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 995-1002
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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