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    Investigation of Self-Heating Effect on DC and RF Performances in AlGaN/GaN HEMTs on CVD-Diamond
    Ranjan, K. ; Arulkumaran, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 1264-1269
    Online academicJournal
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    Multilayer CVD-Graphene and MoS₂ Ethanol Sensing and Characterization Using Kretschmann-Based SPR
    Menon, P.S. ; Jamil, N.A. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1227-1235
    Online academicJournal
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    Volltext
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    CVD Growth Technologies of Layered MX2 Materials for Real LSI Applications—Position and Growth Direction Control and Gas Source Synthesis
    Irisawa, T. ; Okada, N. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1159-1159
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Ultra-High Mobility in Dielectrically Pinned CVD Graphene
    Nashed, R. ; Pan, C. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016-11-01), Heft 6, S. 466-466
    Online academicJournal
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    Thermal Modeling of GaN HEMT Devices With Diamond Heat-Spreader
    Mahrokh, M. ; Yu, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 986-991
    Online academicJournal
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    Graphene Field-Effect Transistors for Radio-Frequency Flexible Electronics
    Petrone, N. ; Meric, I. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 3 (2015), Heft 1, S. 44-44
    Online academicJournal
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    Modeling of Al Doping During 4H-SiC Chemical-Vapor-Deposition Trench Filling
    Mochizuki, K. ; Kosugi, R. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 470-475
    Online academicJournal
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    Investigation of Recovery Phenomena in Hf0.5Zr0.5O2-Based 1T1C FeRAM
    Okuno, J. ; Yonai, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 43-46
    Online academicJournal
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    Volltext
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    The Gold Nanoparticles Enhanced ZnO/GaN UV Detector
    Song, W. ; Dai, X. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 847-853
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Highly Reliable Contacts to Silicon Enabled by Low Temperature Sputtered Graphenic Carbon
    Stelzer, M. ; Jung, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 252-260
    Online academicJournal
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    Novel 10-nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate
    Pan, Y. ; Yin, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 483-488
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Ge GAA FETs and TMD FinFETs for the Applications Beyond Si—A Review
    Lee, Y. ; Luo, G. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016-09-01), Heft 5, S. 286-286
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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