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    A novel monolithic LNA integrating a common-source HEMT with an HBT Darlington amplifier
    KOBAYASHI, K. W ; UMEMOTO, D. K ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 5 (1995), Heft 12, S. 442-444
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    An inp HEMT MMIC lna with 7.2-dB gain at 190 GHz
    LAI, R ; BARSKY, M ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 8 (1998), Heft 11, S. 393-395
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A monolithic HBT-regulated HEMT LNA by selective MBE
    STREIT, D. C ; KOBAYASHI, K. W ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 5 (1995), Heft 4, S. 124-126
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A high performance and low DC power V-band MMIC LNA using 0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT technology
    LAI, R ; CHANG, K. W ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 3 (1993), Heft 12, S. 447-449
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A novel cascode feedback GaAs MMIC LNA with transformer-coupled output using multiple fabrication processes
    FAZAL, ALI ; HUTCHINSON, C ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 2 (1992), Heft 2, S. 70-72
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-power silicon BJT LNA for 1.9 GHz
    KUCERA, J. J ; LOTT, U
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 8 (1998), Heft 3, S. 136-137
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    V-band monolithic low-noise amplifiers using ion-implanted N+-self-aligned GaAs MESFET's
    ONODERA, K ; SUGITANI, S ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 9 (1999), Heft 4, S. 148-150
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    160-190-GHz monolithic low-noise amplifiers
    KOK, Y. L ; WANG, H. SR ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 9 (1999), Heft 8, S. 311-313
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A fully integrated 1.9-GHz CMOS low-noise amplifier
    CHEON SOO, KIM ; MIN, PARK ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 8 (1998), Heft 8, S. 293-295
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High-performance Ka-band monolithic low-noise amplifiers using 0.2-μm dry-recessed GaAs PHEMT's
    KWON, Y ; DEAKIN, D. S ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 6 (1996), Heft 7, S. 253-255
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 140-GHz monolithic low noise amplifier
    WANG, H ; LAI, R ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 5 (1995), Heft 5, S. 150-152
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A wideband HEMT cascode low-noise amplifier with HBT bias regulation
    KOBAYASHI, K. W ; UMEMOTO, D. K ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 5 (1995), Heft 12, S. 457-459
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Cryogenically cooled performance of a monolithic 44-GHz InP-based HEMT low-noise amplifier
    HUEI, WANG ; CHUNG-WEN LO, D ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 5 (1995), Heft 9, S. 281-283
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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