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    A high performance and low DC power V-band MMIC LNA using 0.1 mu m InGaAs/InAlAs/InP HEMT technology
    Lai, Richard ; Tan, K.L. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 3 (1993-12-01), S. 447-449
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    A novel monolithic LNA integrating a common-source HEMT with an HBT Darlington amplifier
    Oki, A.K. ; Block, T.R. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 5 (1995), S. 442-444
    Online unknown
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    An InP HEMT MMIC LNA with 7.2-dB gain at 190 GHz
    Lai, Richard ; Huang, T.-W. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 8 (1998), S. 393-395
    Online unknown
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    A novel cascode feedback GaAs MMIC LNA with transformer-coupled output using multiple fabrication processes
    Podell, A. ; Hutchinson, C. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 2 (1992-02-01), S. 70-72
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    A monolithic HBT-regulated HEMT LNA by selective MBE
    Kobayashi, Kevin W. ; Oki, A.R. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 5 (1995-04-01), S. 124-126
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    Low-power silicon BJT LNA for 1.9 GHz
    Kucera, J.J. ; Lott, U.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 8 (1998-03-01), S. 136-137
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    V-band monolithic low-noise amplifiers using ion-implanted n/sup +/-self-aligned GaAs MESFETs
    Onodera, K. ; Kazumi, Nishimura ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 9 (1999-04-01), S. 148-150
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    160-190-GHz monolithic low-noise amplifiers
    Streit, D.C. ; Block, T.R. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 9 (1999), S. 311-313
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    A fully integrated 1.9-GHz CMOS low-noise amplifier
    Kim, Chung-Hwan ; Lee, Kwyro ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 8 (1998), S. 293-295
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 140-GHz monolithic low noise amplifier
    Pospieszalski, Marian ; Lo, D.C.W. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 5 (1995-05-01), S. 150-152
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    A 2-GHZ three-stage AlInAs-GaInAs-InP HEMT MMIC low-noise amplifier
    Larson, Lawrence E. ; Brown, April S. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 3 (1993-08-01), S. 265-267
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    High-yield W-band monolithic HEMT low-noise amplifier and image rejection downconverter chips
    Lee, J. ; Tan, K.L. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 3 (1993-08-01), S. 281-283
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A cryogenically-cooled wide-band HEMT MMIC low-noise amplifier
    Allen, Barry R. ; Yang, C.C. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 2 (1992-02-01), S. 58-60
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    High-performance and high-yield Ka-band low-noise MMIC using 0.25- mu m ion-implanted MESFET's
    Geddes, J. ; Detry, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 1 (1991-07-01), S. 167-169
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    K alpha -band MMIC receiver with ion-implanted technology for high-volume and low-cost application
    Detry, J. ; Mondal, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 1 (1991-10-01), S. 278-281
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Cryogenically cooled performance of a monolithic 44-GHz InP-based HEMT low-noise amplifier
    Lo, D.C.W. ; Berenz, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 5 (1995-09-01), S. 281-283
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    A wideband HEMT cascode low-noise amplifier with HBT bias regulation
    Umemoto, Donald K. ; Streit, Dwight C. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 5 (1995), S. 457-459
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    Millimeter-wave imaging using preamplified diode detector
    Lam, W. ; Berenz, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 2 (1992-07-01), S. 276-277
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