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    A 4–32 GHz SiGe Multi-Octave Power Amplifier With 20 dBm Peak Power, 18.6 dB Peak Gain and 156% Power Fractional Bandwidth
    Manu Viswambharan Thayyil ; Ellinger, Frank ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 29 (2019-11-01), S. 745-748
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    A 16.3 dBm 14.1% PAE 28-dB Gain $W$ -Band Power Amplifier With Inductive Feedback in 65-nm CMOS
    Park, Jung-Dong ; Trinh, Van-Son
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020-02-01), S. 193-196
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    A 60 GHz 19.6 dBm Power Amplifier With 18.3% PAE in 40 nm CMOS
    Tseng, Chien-Wei ; Wang, Yu-Jiu
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 25 (2015-02-01), S. 121-123
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    A 280–310 GHz InAlAs/InGaAs mHEMT Power Amplifier MMIC with 6.7–8.3 dBm Output Power
    Tessmann, Axel ; Leuther, Arnulf ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 29 (2019-02-01), S. 143-145
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    A +14.2 dBm, 90–140 GHz Wideband Frequency Tripler in 250-nm InP DHBT Technology
    Zhongxia Simon He ; Carpenter, Sona ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018-03-01), S. 239-241
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    A 109 GHz CMOS Power Amplifier With 15.2 dBm Psat and 20.3 dB Gain in 65-nm CMOS Technology
    Dong Min Kang ; Joo Young Jang ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 26 (2016-07-01), S. 510-512
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    Notice of Retraction: A 205 GHz Amplifier With 10.5 dB Gain and $-$1.6 dBm Saturated Power Using 90 nm CMOS
    Ardalan, Shahab ; Moghadami, Siavash
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 26 (2016-03-01), S. 207-209
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    A 0.77 mW 2.4 GHz RF Front-End With $-$4.5 dBm In-Band IIP3 Through Inherent Filtering
    Onabajo, Marvin ; Chang, Chun-hsiang ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 26 (2016-05-01), S. 352-354
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    A Frequency Doubler/Modulator With 4.5 dBm Output Power at 170 GHz Using SiGe HBTs
    Li, Yihu ; Wang Ling Goh ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 25 (2015-03-01), S. 181-183
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    A 26.8 dB Gain 19.7 dBm CMOS Power Amplifier Using 4-way Hybrid Coupling Combiner
    Ma, Kaixue ; Kiat Seng Yeo ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 25 (2015), S. 43-45
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    32 dBm Power Amplifier on 45 nm SOI CMOS
    Lepkowski, William ; Thornton, Trevor ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 23 (2013-03-01), S. 161-163
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    A 60 GHz SiGe-HBT Power Amplifier With 20% PAE at 15 dBm Output Power
    Do, Van-Hoang ; Keusgen, Wilhelm ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 18 (2008-03-01), S. 209-211
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    A 6.75 mW $+$ 12.45 dBm IIP3 1.76 dB NF 0.9 GHz CMOS LNA Employing Multiple Gated Transistors With Bulk-Bias Control
    Tae Hwan Jin ; Tae Wook Kim
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 21 (2011-11-01), S. 616-618
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    A 1.83 GHz 28.5 dBm CMOS Power Up-Mixer
    Paek, Ji-Seon ; Hong, Songcheol
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 19 (2009-06-01), S. 389-391
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    A 250-GHz 12.6-dB Gain and 3.8-dBm P sat Power Amplifier in 65-nm CMOS Adopting Dual-Shunt Elements Based G max-Core
    Hafiz Usman Mahmood ; Choi, Won-Jong ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-03-01), S. 292-295
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    A 75–305-GHz Power Amplifier MMIC With 10–14.9-dBm Pout in a 35-nm InGaAs mHEMT Technology
    Thome, Fabian ; Leuther, Arnulf ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-06-01), S. 741-743
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    A 26.4-dB Gain 15.82-dBm 77-GHz CMOS Power Amplifier With 15.9% PAE Using Transformer-Based Quadrature Coupler Network
    Chen, Liang ; Wang, Yan ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020), S. 78-81
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    A Low-Power 255-GHz Single-Stage Frequency Quadrupler in 130-nm SiGe BiCMOS
    Steinweg, Luca ; Paolo Valerio Testa ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020-11-01), S. 1101-1104
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    A Current-Injection Class-E Power Amplifier
    Yang, Yi-Fan ; Xu, Jian ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020-08-01), S. 775-778
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    A +3.0-dBm 115–129-GHz CMOS Power-Efficient Injection-Locked Frequency Tripler Chain
    Hee Sung Lee ; Dong Min Kang ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020-05-01), S. 508-511
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