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    CMOS Detector Using Customized Bolt-Wrench Capacitor on Backend Oxide Layer
    Hyo Jin Lee ; Lee, Ga-Eun ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-08-01), S. 1012-1015
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    Power-Optimized Digitally Controlled Oscillator in 28-nm CMOS for Low-Power FMCW Radars
    Enz, Christian ; Erwan Le Roux ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-08-01), S. 965-968
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    A K-Band Compact Power Divider/Combiner With 50-dB Configurable Isolation in 65-nm CMOS
    Li, Yecong ; Meng, Xiangyu ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-08-01), S. 1001-1003
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    High-Power V-Band CMOS Frequency Tripler With Efficient Matching Networks
    Yang, Jong-Ryul ; Choi, Ui-Gyu ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-08-01), S. 1020-1022
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    Improvement of AM–PM in a 33-GHz CMOS SOI Power Amplifier Using pMOS Neutralization
    Fager, Christian ; Halil Volkan Hunerli ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 29 (2019-12-01), S. 798-801
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    A Reverse-RSSI Logarithmic Power Detector With +35-dBm Maximum Detectable Power in 180-nm CMOS
    Liu, Junhua ; Zheng, Yongan ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 29 (2019-09-01), S. 610-613
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    A +3-dBm-EIRP 240-GHz Circular-Polarized Radiator Utilizing a Sub-THz PA in 65-nm CMOS
    Trinh, Van-Son ; Hsiang Nerng Chen ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020-04-01), S. 399-402
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    A Fully Integrated 490-GHz CMOS Heterodyne Imager Adopting Second Subharmonic Resistive Mixer Structure
    Choi, Kyung-Sik ; Dzuhri Radityo Utomo ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 29 (2019-10-01), S. 673-676
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    A Dual-Band CMOS Tunable Duplexer Employing a Switchable Autotransformer for Highly Integrated RF Front Ends
    Kwon, Kuduck ; Ki Yong Son ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 29 (2019-07-01), S. 495-497
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    A 273–301-GHz Amplifier With 21-dB Peak Gain in 65-nm Standard Bulk CMOS
    Abdo, Ibrahim ; Watanabe, Issei ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 29 (2019-05-01), S. 342-344
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    A 0.9-pJ/bit 10-Gb/s Controlled Capacitor-Discharge 2-bit Pulsewidth Modulator in 45-nm SOI CMOS
    Ellinger, Frank ; Carta, Corrado ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 29 (2019), S. 53-55
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    A 32-Gb/s C2C-DAC-Based PAM-4 Wireline Transmitter With Two-Tap Feed-Forward Equalization and Level-Mismatch Correction in 28-nm CMOS
    Huang, Rulin ; Mau-Chung Frank Chang ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018-11-01), S. 1056-1058
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    A High Linearity 24-GHz Down-Conversion Mixer Using Distributed Derivative Superposition Technique in 0.18- $\mu \text{m}$ CMOS Process
    Lin, Yu-Hsuan ; Lin, Hung-Hao ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018), S. 49-51
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    A Low-Loss Compact 60-GHz Phase Shifter in 65-nm CMOS
    Chul Soon Park ; Chul Woo Byeon
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 27 (2017-07-01), S. 663-665
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    Ultracompact 60-GHz CMOS BPF Employing Broadside-Coupled Open-Loop Resonators
    Abdel-Rahman, Adel B. ; Allam, Ahmed ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 27 (2017-09-01), S. 818-820
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    An On-Chip Electromagnetic Bandgap Structure with ESD Protection for Noise Suppression in 16-nm FinFET CMOS
    Hsueh, Fu-Lung ; Hsu, Sen-Kuei ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 27 (2017-02-01), S. 147-149
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    High-Sensitivity CMOS RF-DC Converter in HF RFID Band
    Tarricone, Luciano ; Pasca, Mirko ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 26 (2016-09-01), S. 732-734
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    An Oscillator-Based CMOS Magneto-Sensitive Biosensor With In-Situ Switched Capacitor Calibration Scheme
    Zhang, Lei ; Qian, He ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 26 (2016-08-01), S. 640-642
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    Notice of Retraction: A 205 GHz Amplifier With 10.5 dB Gain and $-$1.6 dBm Saturated Power Using 90 nm CMOS
    Ardalan, Shahab ; Moghadami, Siavash
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 26 (2016-03-01), S. 207-209
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    A High Efficiency E-Band CMOS Frequency Doubler With a Compensated Transformer-Based Balun for Matching Enhancement
    Yu, Bo ; Qun Jane Gu ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 26 (2016), S. 40-42
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