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    High PAE CMOS Power Amplifier With 44.4% FBW Using Superimposed Dual-Band Configuration and DGS Inductors
    Alngar, O.Z. ; Barakat, A. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-12-01), Heft 12, S. 1423-1426
    Online academicJournal
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    Dual-Band VCO Using High Quality Factor Two Orthogonally Located Inductors in 0.18-μm CMOS Technology
    Mansour, I. ; Mansour, M. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-12-01), Heft 12, S. 1431-1434
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Cryo-CMOS Low-Noise Amplifier With 2.3-to-8.5-K Noise Temperature at 20 K for Highly Integrated Radio-Astronomy Receivers
    Sheldon, A. ; Belostotski, L.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-11-01), Heft 11, S. 1319-1322
    Online academicJournal
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    Design of 50-GHz Low Phase Noise VCO Employing Two-Branches DGS Resonator in 0.18-μm CMOS Technology
    Chen, B. ; Pokharel, R.K. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-10-01), Heft 10, S. 1203-1206
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Millimeter-Wave Variable-Gain Power Amplifier With P₁ dB Improvement Technique in 65-nm CMOS
    Luo, X. ; Feng, W. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-12-01), Heft 12, S. 1427-1430
    Online academicJournal
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    Design of a K-Band High-Linearity Asymmetric SPDT CMOS Switch Using a Stacked Transistor
    Kim, T. ; Lee, H.D. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-12-01), Heft 12, S. 1443-1446
    Online academicJournal
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    A 208–233-GHz Frequency Doubler With 1.1% Power-Added Efficiency in 28-nm CMOS
    Fu, H. ; Li, K. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-11-01), Heft 11, S. 1311-1314
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Ku-Band Low Phase Noise VCO Using High-Quality Factor Transformer in 0.18-μm CMOS Technology
    Mansour, I. ; Mansour, M. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-10-01), Heft 10, S. 1207-1210
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A K-Band CMOS Standing Wave Oscillator Using Digital-Controlled Artificial Dielectric Differential Transmission Lines
    Li, Y. ; Wu, X. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-10-01), Heft 10, S. 1195-1198
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    An E-Band High-Performance Variable Gain Low Noise Amplifier for Wireless Communications in 90-nm CMOS Process
    Wang, Y. ; Chiu, T. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1095-1098
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A W-Band SPDT Switch With 15-dBm P1dB in 55-nm Bulk CMOS
    Chen, L. ; Ge, Z. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-07-01), Heft 7, S. 879-882
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    24–40 GHz Dual-Band Highly Linear CMOS Up-Conversion Mixer for mmWave 5G NR FR2 Cellular Applications
    Bae, B. ; Jeong, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-08-01), Heft 8, S. 999-1002
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Fully-Integrated Ka-Band CMOS Rectifier Using Large Signal Analysis for Wireless Power Transfer
    Yang, J. ; Jang, S. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-07-01), Heft 7, S. 911-914
    Online academicJournal
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    A 26–31 GHz Linearized Wideband CMOS LNA Using Post-Distortion Technique
    Liu, J. ; Liu, S. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1087-1090
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 23.4 mW −72-dBc Reference Spur 40 GHz CMOS PLL Featuring a Spur-Compensation Phase Detector
    Liang, Y. ; Boon, C.C. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1091-1094
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    7.4-mW, 22.7–29.7 GHz CMOS VGA With 23.7 dB (19.2 to −4.5 dB) Gain Tuning Range and 3.26 dB NFavg
    Chang, J. ; Lin, Y.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1075-1078
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    A 40-Gb/s Modulator Driver Using Cascade Swing Compensation in 90 nm CMOS
    Lin, C. ; Hong, S. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1103-1106
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 26–40 GHz Wideband Power Amplifier With Transformer-Based High-Order Matching Networks in 28-nm CMOS FD-SOI
    Zavarei, M.J. ; Kim, K. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1079-1082
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    A High Conversion Gain Frequency Doubler Using Transformer-Based Second Harmonic Feedback Technique in 28-nm CMOS
    Fu, H. ; Wang, H. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1071-1074
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    110–140-GHz Wide-IF-Band 65-nm CMOS Receiver Design for Fusion Plasma Diagnostics
    Chen, Y. ; Hu, R. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-06-01), Heft 6, S. 631-634
    Online academicJournal
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