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    Fabrication of High Efficiency Green InGaN/GaN MicroLEDs by Modulating Potential Barrier Height of the Sidewall MQWs in V-Pits
    Liu, H. ; Zhang, D. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 16 (2024-06-01), Heft 3, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Monolithically Integrated AlGaInAs MQW Polarization Mode Converter Using a Stepped Height Ridge Waveguide
    Sun, X. ; Ye, S. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 14 (2022-06-01), Heft 3, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    The Study on the Droop Effect in the InGaN/AlGaInN MQWs With Lattice-Matched AlGaN/InGaN Superlattices Barrier by Highly Excited Photoluminescence Measurement
    Jiang, F. ; Liu, Y. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 10 (2018-04-01), Heft 2, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High Bandwidth Semi-Polar InGaN/GaN Micro-LEDs With Low Current Injection for Visible Light Communication
    Xu, F. ; Qiu, P. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 15 (2023-02-01), Heft 1, S. 1-4
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    EAM integrated widely tunable DBR lasers based on InGaAlAs/InP MQWs
    Zhong, M. ; Li, H. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. PP, Heft 99, S. 1-5
    academicJournal
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    Reverse Leakage Current Characteristics of GaN/InGaN Multiple Quantum-Wells Blue and Green Light-Emitting Diodes
    Zhi, T. ; Tao, T. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 8 (2016-10-01), Heft 5, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Enhanced Emission Efficiency of Deep Ultraviolet Light-Emitting AlGaN Multiple Quantum Wells Grown on an N-AlGaN Underlying Layer
    Li, L. ; Miyachi, Y. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 8 (2016-10-01), Heft 5, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Efficiency Droop Improvement in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes by Graded-Composition Multiple Quantum Wells
    Zhu, L. H. ; Liu, W. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 5 (2013-04-01), Heft 2, S. 8200208-8200208
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Carrier Transport in a Deep Ultraviolet Mixed Quantum Well Light Emitting Diode
    Romer, F. ; Hofmann, G. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 16 (2024-02-01), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Study on the Quantum Confinement of Photo-Generated Carriers in Quantum Wells
    Ding, D. ; Liu, W. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 15 (2023-06-01), Heft 3, S. 1-4
    Online academicJournal
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    An FDTD Investigation of Compact and Low-Voltage Waveguide-Integrated Plasmonic Ge/SiGe Multiple Quantum Wells Photodetectors
    Srikam, S. ; Traiwattanapong, W. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 14 (2022-10-01), Heft 5, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Underwater Optical Wireless Communications With InGaN LEDs Grown With an Asymmetric Multiple Quantum Well for Light Emission or Detection
    Tsai, C. ; Wang, T. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 14 (2022-02-01), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Improved Optical Properties of Nonpolar AlGaN-Based Multiple Quantum Wells Emitting at 280 nm
    Zhao, J. ; Pan, J. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 13 (2021-02-01), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Low-Loss Buried-Heterostructure Optical Waveguide Based on Impurity-Free-Vacancy-Diffusion Quantum Well Intermixing
    Chen, Y. ; Chen, R. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 12 (2020-04-01), Heft 2, S. 1-7
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Electrically Injected Hybrid Organic/Inorganic III-Nitride White Light-Emitting Diodes Based on Rubrene/(InGaN/GaN) Multiple-Quantum-Wells P-N Junction
    Wang, D. ; Liu, B. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 11 (2019-08-01), Heft 4, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Cost-Effective Half-Duplex Transceivers for Fiber-to-the-Room Network Enabled by Optical Feedback Resistant Single-Mode Lasers
    Ding, H. ; Chen, G. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 15 (2023-08-01), Heft 4, S. 1-5
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Analysis of Biaxially Tensile Strained Ge/SiGe Multiple Quantum Wells for Electro-Absorption Modulators With Low Polarization Sensitivities
    Gao, J. ; Sun, J. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 10 (2018-08-01), Heft 4, S. 1-1
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Suppression the Leakage of Optical Field and Carriers in GaN-Based Laser Diodes by Using InGaN Barrier Layers
    Yang, J. ; Zhao, D. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 10 (2018-08-01), Heft 4, S. 1-1
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    Modeling Resonance-Free Modulation Response in Transistor Lasers With Single and Multiple Quantum Wells in the Base
    Basu, R. ; Mukhopadhyay, B. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 4 (2012-10-01), Heft 5, S. 1572-1581
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    AlGaN-Based Multiple Quantum Well Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes With Polarization Doping
    Chang, J. ; Chen, D. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 8 (2016-02-01), Heft 1, S. 1
    Online academicJournal
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