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    A Ka-Band Mutual Coupling Resilient Stacked-FET Power Amplifier With 21.2 dBm OP1dB and 27.6% PAE1dB in 45-nm CMOS SOI
    Zhang, J. ; Wang, D. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 7 (2024), S. 147-150
    Online academicJournal
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    A Bootstrapped 250-nm GaN MMIC N-Path Filter With a 31 dBm In-Band P1dB
    Desta, N. ; Cohen, E.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 7 (2024), S. 66-69
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High Gain 130-GHz Frequency Doubler With Colpitts Output Buffer Delivering Pout up to 8 dBm with 6% PAE in 55-nm SiGe BiCMOS
    Pirbazari, M.M. ; Mazzanti, A.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 36-39
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Power Calibration Loop With High Accuracy of 10 dBm ±0.5 dB for a 77-GHz Radar Application
    Kohtani, M. ; Kishimoto, S. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 3 (2020), S. 178-181
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Fully Integrated SPAD-Based CMOS Data-Receiver With a Sensitivity of −64 dBm at 20 Mb/s
    Goll, B. ; Hofbauer, M. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 1 (2018), Heft 1, S. 2-2
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A 91-GHz Fundamental VCO With 6.1% DC-to-RF Efficiency and 4.5 dBm Output Power in 0.13- $\mu$ m CMOS
    Tarkeshdouz, A. ; Mostajeran, A. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 1 (2018-04-01), Heft 4, S. 102-102
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A 183 GHz Desensitized Unbalanced Cascode Amplifier With 9.5-dB Power Gain and 10-GHz Band Width and −2 dBm Saturation Power
    Khatibi, H. ; Khiyabani, S. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 1 (2018-03-01), Heft 3, S. 58-58
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A Mixer-First Receiver With On-Demand Passive Harmonic Rejection
    Lu, H. ; Kooshkaki, H.R. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 7 (2024), S. 46-49
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High-Efficiency 28-/39-GHz Hybrid Transceiver Utilizing Si CMOS and GaAs HEMT for 5G NR Millimeter-Wave Mobile Applications
    Kim, Y. ; Park, H. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 6 (2023), S. 1-4
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Dual-Band 802.11ax Transceiver Design With 1024-QAM and 160-MHz CBW Support
    Lu, C. ; Chen, S. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 6 (2023), S. 137-140
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Wideband Asymmetric Single-Pole Double-Throw Switch Based on Back-to-Back Coupler Structure
    Chang, Y.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 6 (2023), S. 205-208
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Compact 140-GHz CMOS Power Amplifier With 10.5-dBm Output Power and 27.6-dB Power Gain Supporting up to 128-QAM Modulation
    Chen, L. ; Zhang, L. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 214-217
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Broadband Power Amplifier in 130-nm SiGe BiCMOS Technology
    Zhou, P. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 44-47
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An Enhanced Mixer-First Receiver With Distortion Cancellation, Achieving 80-dB/decade RF Selectivity and +8-dBm B1dB for Adjacent Channel Blockers
    Krishnamurthy, S. ; Niknejad, A.M.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 64-67
    Online academicJournal
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    Full D-Band Transmit–Receive Module for Phased Array Systems in 130-nm SiGe BiCMOS
    Karakuzulu, A. ; Eissa, M.H. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 40-43
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    38/60-GHz Dual-Frequency 3-Stage Transformer-Based Differential Inductor-Peaked Rectifier in 40-nm CMOS Technology
    Fang, Y. ; Hueber, G. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 174-177
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 50-Gb/s Compact RadCom E-Band Transmitter With Phase-Controlled Push–Push Quadrupler and Stacked-FET Power Amplifier
    Kim, K. ; Lee, K. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 150-153
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A D-Band Wideband Single-Ended Neutralized Upconversion Mixer With Controlled LO Feedthrough in 65-nm CMOS
    Wang, C. ; Liu, C. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 7 (2024), S. 167-170
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Multichannel Injection-Locked OOK Transmitter With Current Mode Edge-Combining Power Amplifier
    Chang, S. ; Lin, Z. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 7 (2024), S. 111-114
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Sustainable Status Monitoring of MOSFETs in a Fully Integrated RF Amplifier by Thermal Voltage Sensing of On-Chip Thermopile
    Li, J. ; Liao, X.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 7 (2024), S. 94-97
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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