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    Cylindrical Indentation to Selectively Stress Nanoscale CMOS Transistors.
    Schlipf, S. ; Clausner, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 22 (2022-09-01), Heft 3, S. 348-355
    Online academicJournal
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    Mechanism Analysis and Thermal Damage Prediction of High-Power Microwave Radiated CMOS Circuits.
    Liang, Qi-Shuai ; Chai, Chang-Chun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 21 (2021-09-01), Heft 3, S. 444-451
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Physics-Based Single Event Transient Pulse Width Model for CMOS VLSI Circuits.
    Aneesh, Y. M. ; Bindu, B.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), Heft 4, S. 723-730
    Online academicJournal
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    CMOS-Compatible Ex-Situ Incorporated Junctionless Enhancement-Mode Thin Polysilicon Film FET pH Sensor.
    Parmar, Jaydeep Singh ; Sahu, Chitrakant
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 21 (2021-03-01), Heft 1, S. 2-8
    Online academicJournal
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    Design for High Reliability of CMOS IC With Tolerance on Total Ionizing Dose Effect.
    Lee, Minwoong ; Cho, Seongik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), Heft 2, S. 459-467
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CMOS Reliability From Past to Future: A Survey of Requirements, Trends, and Prediction Methods.
    Hill, Ian ; Chanawala, Parvez ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 22 (2022-03-01), Heft 1, S. 1-18
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Sensitivity to Laser Fault Injection: CMOS FD-SOI vs. CMOS Bulk.
    Dutertre, Jean-Max ; Beroulle, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-03-01), Heft 1, S. 6-15
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Fundamental Thermal Limits on Data Retention in Low-Voltage CMOS Latches and SRAM.
    Rezaei, Elahe ; Donato, Marco ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-09-01), Heft 3, S. 488-497
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Reliability Characterization of Ring Oscillator Circuits for Advanced CMOS Technologies.
    Kerber, Andreas ; Nigam, Tanya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), Heft 2, S. 230-241
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Reliability-Aware Design Space Exploration for Fully Integrated RF CMOS PA.
    Pazos, Sebastian ; Aguirre, Fernando ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 20 (2020-03-01), Heft 1, S. 33-41
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    ESD Protection Design for Open-Drain Power Amplifier in CMOS Technology.
    Lin, Chun-Yu ; Li, Guan-Yi
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-12-01), Heft 4, S. 782-790
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    BTI-Aware Timing Reliability Improvement of Pulsed Flip-Flops in Nano-Scale CMOS Technology.
    Jafari, Atousa ; Raji, Mohsen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 21 (2021-09-01), Heft 3, S. 379-388
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Study and Verification on the Latch-Up Path Between I/O pMOS and N-Type Decoupling Capacitors in 0.18- $\mu$ m CMOS Technology.
    Chen, Chun-Cheng ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), Heft 2, S. 445-451
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    New Insights on Device Level TDDB at GHz Speed in Advanced CMOS Nodes.
    Arabi, M. ; Federspiel, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), Heft 2, S. 255-261
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    An nMOS Static ESD Power Supply Clamp With Thyristor Delay Element and 180 pA Leakage in 65 nm CMOS Technology.
    Elghazali, Mahdi ; Sachdev, Manoj ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 18 (2018-03-01), Heft 1, S. 97-104
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Total Dose Effects on Voltage References in 130-nm CMOS Technology.
    Colombo, Dalton Martini ; Rosseto, Allan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 18 (2018-03-01), Heft 1, S. 27-36
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Ultra-Low Power, Highly Reliable, and Nonvolatile Hybrid MTJ/CMOS Based Full-Adder for Future VLSI Design.
    Rajaei, Ramin ; Bakhtavari Mamaghani, Sina
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 17 (2017-03-01), Heft 1, S. 213-220
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Surface Density Gradient Engineering Precedes Enhanced Diffusion; Drives CMOS In-Line Process Flow Compatible Cu–Cu Thermocompression Bonding at 75 °C.
    Panigrahy, Asisa Kumar ; Ghosh, Tamal ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-12-01), Heft 4, S. 791-795
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    Current Status of Reliability in Extended and Beyond CMOS Devices.
    Islam, Ahmad Ehteshamul
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 16 (2016-12-01), Heft 4, S. 647-666
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    Low-C ESD Protection Design With Dual Resistor-Triggered SCRs in CMOS Technology.
    Lin, Chun-Yu ; Chen, Chun-Yu
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 28 (2018-06-01), Heft 6, S. 197-204
    Online academicJournal
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