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    Total Dose Effects on Voltage References in 130-nm CMOS Technology
    Rosseto, Allan ; Bampi, Sergio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-03-01), S. 27-36
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    Current Status of Reliability in Extended and Beyond CMOS Devices
    Ahmad Ehteshamul Islam
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-12-01), S. 647-666
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    Low-Leakage Bidirectional SCR With Symmetrical Trigger Circuit for ESD Protection in 40-nm CMOS Process
    Altolaguirre, Federico A. ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-12-01), S. 549-555
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    In Situ ESD Protection Structure for Variable Operating Voltage Interface Applications in 28-nm CMOS Process
    Hajjar, Jean-Jacques ; Salcedo, Javier A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 14 (2014-12-01), S. 1061-1067
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    Overview on ESD Protection Designs of Low-Parasitic Capacitance for RF ICs in CMOS Technologies
    Hsiao, Yuan-Wen ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-06-01), S. 207-218
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    Theoretical Foundation for Upsets in CMOS Circuits Due to High-Power Electromagnetic Interference
    Iliadis, Agis A. ; Kim, Kyechong
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 10 (2010-09-01), S. 347-352
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    Single-Event Transient Measurements in nMOS and pMOS Transistors in a 65-nm Bulk CMOS Technology at Elevated Temperatures
    Schrimpf, Ronald D. ; Massengill, Lloyd W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-03-01), S. 179-186
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    Mitigation Technique for Single Event Transient via Pulse Quenching
    Li, Jie ; Xiao, Liyi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 21 (2021-09-01), S. 405-415
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    Design and Analysis of Leakage-Induced False Error Tolerant Error Detecting Latch for Sub/Near-Threshold Applications
    Sharma, Priyamvada ; Bishnu Prasad Das
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), S. 366-375
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    An Incremental Algorithm for Soft Error Rate Estimation of Combinational Circuits
    Ghavami, Behnam ; Raji, Mohsen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-09-01), S. 463-473
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    Compact NBTI Reliability Modeling in Si Nanowire MOSFETs and Effect in Circuits
    Maheshwaram, S. ; Prakash, Om ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 17 (2017-06-01), S. 404-413
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    Accelerated Aging in Analog and Digital Circuits With Feedback
    Wang, Runsheng ; Sutaria, Ketul B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 15 (2015-09-01), S. 384-393
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    A Novel Cascade-Free 5-V ESD Clamp Using I-MOS: Proposal and Analysis
    M. Jagadesh Kumar ; Sithanandam, Radhakrishnan
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-06-01), S. 200-207
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    Assessment of Influence of Impedance Mismatch in ULSI Devices on Electromigration of Copper Interconnection Lines
    Sofer, Sergey ; Rysin, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 13 (2013-03-01), S. 231-235
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    Physically Based Modeling of Stress-Induced Variation in Nanoscale Transistor Performance
    Liu, Tiehui ; Lynn T.-N. Wang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-09-01), S. 378-386
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    A Degradation Model of Double Gate and Gate-All-Around MOSFETs With Interface Trapped Charges Including Effects of Channel Mobile Charge Carriers
    Shankar, Ravi ; Maheshwaram, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 14 (2014-06-01), S. 689-697
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    A VDD Correction Method for Static Stability Test of SRAM Bit Cell
    Shi, Zheng ; Yuyan, Liu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-09-01), S. 530-540
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    Prediction of NBTI Degradation in Dynamic Voltage Frequency Scaling Operations
    Shi, Yanling ; Yanling, Wang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-03-01), S. 9-19
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    Impact of Time Zero Variability and BTI Reliability on SiNW FET-Based Circuits
    Beniwal, Swen ; Singh, Navab ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 19 (2019-12-01), S. 741-750
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    ESD Protection Design With Diode-Triggered Quad-SCR for Separated Power Domains
    Chen, Jie-Ting ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), S. 283-289
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xs 0 - 576
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