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    Design for High Reliability of CMOS IC With Tolerance on Total Ionizing Dose Effect
    Lee, Minwoong ; Lee, Nam-Ho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), S. 459-467
    Online unknown
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    Total Dose Effects on Voltage References in 130-nm CMOS Technology
    Rosseto, Allan ; Bampi, Sergio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-03-01), S. 27-36
    Online unknown
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    ESD-induced oxide breakdown on self-protecting GG-nMOSFET in 0.1-μm CMOS technology
    SALMAN, Akram A ; GAUTHIER, Robert ; et al.
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 3 (2003), Heft 3, S. 79-84
    Online academicJournal
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    NMOSFET ESD self-protection strategy and underlying failure mechanism in advanced 0.13-μm CMOS technology
    SALMAN, Akram ; GAUTHIER, Robert ; et al.
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 2 (2002), Heft 1, S. 2-8
    Online academicJournal
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    Hot carrier degradation and ESD in submicrometer CMOS technologies: How do they interact?
    GROESENEKEN, Guido V
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 1 (2001), Heft 1, S. 23-32
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Modeling and Understanding of External Latchup in CMOS Technologies—Part II: Minority Carrier Collection Efficiency
    Farbiz, Farzan ; Rosenbaum, Elyse
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-09-01), S. 426-432
    Online unknown
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    Theoretical Foundation for Upsets in CMOS Circuits Due to High-Power Electromagnetic Interference
    Iliadis, Agis A. ; Kim, Kyechong
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 10 (2010-09-01), S. 347-352
    Online unknown
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    Single-Event Transient Measurements in nMOS and pMOS Transistors in a 65-nm Bulk CMOS Technology at Elevated Temperatures
    Schrimpf, Ronald D. ; Massengill, Lloyd W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-03-01), S. 179-186
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Reliability Challenges for CMOS Technology Qualifications With Hafnium Oxide/Titanium Nitride Gate Stacks
    Kerber, Andreas ; Cartier, Eduard A.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 9 (2009-06-01), S. 147-162
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    Impact of SOI Thickness on FUSI-Gate CESL CMOS Performance and Reliability
    Yeh, Wen-Kuan ; Chen, Kun-Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-03-01), S. 44-49
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    The Impact of Drift Implant and Layout Parameters on ESD Robustness for On-Chip ESD Protection Devices in 40-V CMOS Technology
    Ker, Ming-Dou ; Chang, Wei-Jen
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 7 (2007-06-01), S. 324-332
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    Time-Dependent Variability Related to BTI Effects in MOSFETs: Impact on CMOS Differential Amplifiers
    Rodriguez, Rosana ; Nafria, Montserrat ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 9 (2009-06-01), S. 305-310
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    Gate-Induced-Drain-Leakage Current in 45-nm CMOS Technology
    Ahlgren, David C. ; Liang, Chu-Hsin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 8 (2008-09-01), S. 501-508
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    Shielded channel double-gate MOSFET: a novel device for reliable nanoscale CMOS applications
    Mamidala Jagadesh Kumar ; Orouji, Ali A.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 5 (2005-09-01), S. 509-514
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    Compact Modeling and Simulation of Circuit Reliability for 65-nm CMOS Technology
    Wang, Wenping ; Krishnan, Anand T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 7 (2007-12-01), S. 509-517
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Impact of Scaling on the High Current Behavior of RF CMOS Technology
    Reddy, Vijay ; Boselli, Gianluca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 4 (2004-09-01), S. 542-548
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    Investigation of the gate-driven effect and substrate-triggered effect on ESD robustness of CMOS devices
    Ker, Ming-Dou ; Chen, Tung-Yang
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 1 (2001), S. 190-203
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    NMOSFET ESD self-protection strategy and underlying failure mechanism in advanced 0.13-μm CMOS technology
    Salman, Akram A. ; Putnam, Christopher S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 2 (2002-03-01), S. 2-8
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    CMOS RF and DC Reliability Subject to Hot Carrier Stress and Oxide Soft Breakdown
    Yang, Hong ; Yuan, Jiann-Shiun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 4 (2004-03-01), S. 92-98
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