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    CMOS Reliability From Past to Future: A Survey of Requirements, Trends, and Prediction Methods
    Chanawala, Parvez ; Hill, Ian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 22 (2022-03-01), S. 1-18
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    Mechanism Analysis and Thermal Damage Prediction of High-Power Microwave Radiated CMOS Circuits
    Wu, Han ; Liang, Qi-Shuai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 21 (2021-09-01), S. 444-451
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    BTI-Aware Timing Reliability Improvement of Pulsed Flip-Flops in Nano-Scale CMOS Technology
    Raji, Mohsen ; Jafari, Atousa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 21 (2021-09-01), S. 379-388
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    CMOS-Compatible Ex-Situ Incorporated Junctionless Enhancement-Mode Thin Polysilicon Film FET pH Sensor
    Jaydeep Singh Parmar ; Sahu, Chitrakant
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 21 (2021-03-01), S. 2-8
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    Fundamental Thermal Limits on Data Retention in Low-Voltage CMOS Latches and SRAM
    Zaslavsky, Alexander ; Donato, Marco ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-09-01), S. 488-497
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    Design for High Reliability of CMOS IC With Tolerance on Total Ionizing Dose Effect
    Lee, Minwoong ; Lee, Nam-Ho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), S. 459-467
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    Cylindrical Indentation to Selectively Stress Nanoscale CMOS Transistors
    Schlipf, S. ; Clausner, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 22 (2022-09-01), S. 348-355
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    Reliability Characterization of Ring Oscillator Circuits for Advanced CMOS Technologies
    Nigam, T. ; Kerber, Andreas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), S. 230-241
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    Reliability-Aware Design Space Exploration for Fully Integrated RF CMOS PA
    Palumbo, Felix ; Aguirre, Fernando L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-03-01), S. 33-41
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    ESD Protection Design for Open-Drain Power Amplifier in CMOS Technology
    Lin, Chun-Yu ; Li, Guan-Yi
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 19 (2019-12-01), S. 782-790
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    Study and Verification on the Latch-Up Path Between I/O pMOS and N-Type Decoupling Capacitors in 0.18-$\mu$ m CMOS Technology
    Ker, Ming-Dou ; Chen, Chun-Cheng
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), S. 445-451
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    An nMOS Static ESD Power Supply Clamp With Thyristor Delay Element and 180 pA Leakage in 65 nm CMOS Technology
    Sachdev, Manoj ; Opal, Ajoy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-03-01), S. 97-104
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    Total Dose Effects on Voltage References in 130-nm CMOS Technology
    Rosseto, Allan ; Bampi, Sergio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-03-01), S. 27-36
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    Low-C ESD Protection Design With Dual Resistor-Triggered SCRs in CMOS Technology
    Chen, Chun-Yu ; Lin, Chun-Yu
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-06-01), S. 197-204
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    Characterization of the Effect of Pulse Quenching on Single-Event Transients in 65-nm Twin-Well and Triple-Well CMOS Technologies
    Liang, Bin ; Yu, Peifu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-03-01), S. 12-17
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    A Physics-Based Single Event Transient Pulse Width Model for CMOS VLSI Circuits
    Bindu, B. ; Aneesh, Y. M.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), S. 723-730
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    Current Status of Reliability in Extended and Beyond CMOS Devices
    Ahmad Ehteshamul Islam
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-12-01), S. 647-666
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    Ultra-Low Power, Highly Reliable, and Nonvolatile Hybrid MTJ/CMOS Based Full-Adder for Future VLSI Design
    Sina Bakhtavari Mamaghani ; Rajaei, Ramin
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 17 (2017-03-01), S. 213-220
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    Low-Leakage Bidirectional SCR With Symmetrical Trigger Circuit for ESD Protection in 40-nm CMOS Process
    Altolaguirre, Federico A. ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-12-01), S. 549-555
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    Stress Considerations for System-on-Chip Gas Sensor Integration in CMOS Technology
    Selberherr, Siegfried ; Filipovic, Lado
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-12-01), S. 483-495
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