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    Reliability of CMOS on Silicon-on-Insulator for Use at 250 $^{\circ}\hbox{C}$
    Grella, K. ; Dreiner, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 14 (2014-03-01), Heft 1, S. 21-29
    Online academicJournal
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    Total Dose Effects on Voltage References in 130-nm CMOS Technology
    Colombo, D.M. ; Rosseto, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-03-01), Heft 1, S. 27-27
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effects of hot-carrier stress on the performance of CMOS low-noise amplifiers
    Naseh, S. ; Deen, M.J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 5 (2005-09-01), Heft 3, S. 501-508
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Interface trap generation and hole trapping under NBTI and PBTI in advanced CMOS technology with a 2-nm gate oxide
    Denais, M. ; Huard, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 4 (2004-12-01), Heft 4, S. 715-722
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    CMOS RF Low-Noise Amplifier Design for Variability and Reliability
    Liu, Y. ; Yuan, J. S.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-09-01), Heft 3, S. 450-457
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CMOS Transistor Amplifier Temperature Compensation: Modeling and Analysis
    Zhang, Y. ; Yuan, J. S.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 12 (2012-06-01), Heft 2, S. 376-381
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Unified Compact Model of Soft Breakdown Oxide Degradation and Its Impact on CMOS Circuits Reliability
    Gerrer, L. ; Ghibaudo, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 12 (2012-03-01), Heft 1, S. 171-176
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Shielded channel double-gate MOSFET: a novel device for reliable nanoscale CMOS applications
    Orouji, A.A. ; Kumar, M.J.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 5 (2005-09-01), Heft 3, S. 509-514
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Physical and predictive models of ultrathin oxide reliability in CMOS devices and circuits
    Stathis, J.H.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 1 (2001-03-01), Heft 1, S. 43-59
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Monitor-Based In-Field Wearout Mitigation for CMOS LC Oscillators
    Chang, D. ; Kitchen, J.N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-06-01), Heft 2, S. 183-183
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Using the Octagonal Layout Style for MOSFETs to Boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments
    Peruzzi, V.V. ; Cruz, W.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), Heft 4, S. 754-759
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    On the Circuit-Level Reliability Degradation Due to AC NBTI Stress
    Chenouf, A. ; Djezzar, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-09-01), Heft 3, S. 290-290
    Online academicJournal
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    Estimation and Compensation of Process-Induced Variations in Nanoscale Tunnel Field-Effect Transistors for Improved Reliability
    Saurabh, S. ; Kumar, M. J.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 10 (2010-09-01), Heft 3, S. 390-395
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effects of Interface States and Positive Charges on NBTI in Silicon-Oxynitride p-MOSFETs
    Wang, Y.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 8 (2008-03-01), Heft 1, S. 14-21
    Online academicJournal
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    The statistics of NBTI-induced V/sub T/ and /spl beta/ mismatch shifts in pMOSFETs
    Rauch, S.E., III
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 2 (2002-12-01), Heft 4, S. 89-93
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigation of the off-State Behavior in Deep-Submicrometer NMOSFETs Under Heavy-Ion Irradiation by 3-D Simulation
    Xue, S. ; Wang, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-03-01), Heft 1, S. 13-18
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Novel Nanoscale 4H-SiC-on-Insulator MOSFET Using Step Doping Channel
    Orouji, A. A. ; Elahipanah, H.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 10 (2010-03-01), Heft 1, S. 92-95
    Online academicJournal
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    Special reliability features for Hf-based high-/spl kappa/ gate dielectrics
    Ma, T.P. ; Bu, H.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 5 (2005-03-01), Heft 1, S. 36-44
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    A Source Segmented LDMOS Structure for Improving Single Event Burnout Tolerance Based on High-Voltage BCD Process
    Xu, J. ; Lei, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 24 (2024-03-01), Heft 1, S. 105-111
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    BTI and Soft-Error Tolerant Voltage Bootstrapped Schmitt Trigger Circuit
    Gupta, N. ; Shah, A.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 21 (2021-03-01), Heft 1, S. 153-155
    Online academicJournal
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