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    Channel-Width-Dependent Mobility Degradation in Bulk Conduction Regime of Tri-Gate Junctionless Transistors.
    Jeon, Dae-Young ; Mouis, Mireille ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3037-3041
    Online academicJournal
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    Total Subgap Range Density of States-Based Analysis of the Effect of Oxygen Flow Rate on the Bias Stress Instabilities in a-IGZO TFTs.
    Yang, Ga Won ; Park, Jingyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022), Heft 1, S. 166-173
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Bridging TCAD and AI: Its Application to Semiconductor Design.
    Jeong, Changwook ; Myung, Sanghoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 5364-5371
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Multiscale Metrology and Optimization of Ultra-Scaled InAs Quantum Well FETs.
    Kharche, Neerav ; Klimeck, Gerhard ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-07-01), Heft 7, S. 1963-1971
    Online academicJournal
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    Light Effect on Negative Bias-Induced Instability of HflnZnO Amorphous Oxide Thin-Film Transistor.
    Kwon, Dae Woong ; Kim, Jang Hyun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-04-01), Heft 4, S. 1127-1133
    Online academicJournal
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    Scalability of Sub- 100 nm InAs HEMTs on InP Substrate for Future Logic Applications.
    Kim, Dae-Hyun ; Del Alamo, Jesús A.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-07-01), Heft 7, S. 1504-1511
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A Self-Aligned InGaAs HEMT Architecture for Logic Applications.
    Waldron, Niamh ; Kim, Dae-Hyun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010), Heft 1, S. 297-304
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Recent Advances in ZnO-Based Light-Emitting Diodes.
    Choi, Yong-Seok ; Kang, Jang-Won ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010), Heft 1, S. 26-41
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Lateral Trapped-Charge Profiling Based on the Extraction of the Flatband Voltage by Using the Optical Substrate Current in Nitride-Based Charge-Trap Flash Memories.
    Roh, Kang-Seob ; Park, Sungwook ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-09-01), Heft 9, S. 2034-2044
    Online academicJournal
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    Impact of Hydrogenation of ZnO TFTs by Plasma-Deposited Silicon Nitride Gate Dielectric.
    Remashan, Kariyadan ; Hwang, Dae-Kue ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-10-01), Heft 10, S. 2736-2743
    Online academicJournal
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    Lateral and Vertical Scaling of In0.7Ga0.3As HEMTs for Post-Si-CMOS Logic Applications.
    Kim, Dae-Hyun ; del Alamo, Jesús A.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-10-01), Heft 10, S. 2546-2553
    Online academicJournal
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    A Two-Step-Recess Process Based on Atomic-Layer Etching for High-Performance In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As p-HEMTs.
    Kim, Tae-Woo ; Kim, Dae-Hyun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-07-01), Heft 7, S. 1577-1584
    Online academicJournal
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    Logic Suitability of 50-nm In0.7Ga0.3As HEMTs for Beyond-CMOS Applications.
    Kim, Dae-Hyun ; del Alamo, Jesús A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-10-01), Heft 10, S. 2606-2613
    Online academicJournal
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    Improved VBIC Model for SiGe HBTs With an Unified Model of Heterojunction Barrier Effects.
    Lee, Kyungho ; Cho, Dae-Hyung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-04-01), Heft 4, S. 743-752
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    Third-Harmonic Frequency Multiplication of a Two-Stage Tapered Gyrotron TWT Amplifier.
    Baik, Chan-Wook ; Jeon, Seok-Gy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-05-01), Heft 5, S. 829-838
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    Quanatum C-V modeling in depletion and inversion: accurate extraction of electrical thickness of gate oxide in deep submicron MOSFETs.
    Quan, Wuyun ; Kim, Dae M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-05-01), Heft 5, S. 889-894
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    Silicon single-electron transistors with sidewall depletion gates and their application to dynamic single-electron transistor logic.
    Kim, Dae Hwan ; Sung, Suk-Kang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-04-01), Heft 4, S. 627-635
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    On-chip characterization of interconnect parameters and time delay in 0.18 μm CMOS technology for ULSI circuit applications.
    Lee, Hi-Deok ; Kim, Dae M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 47 (2000-05-01), Heft 5, S. 1073-1079
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    Dynamic snap-back induced programming failure in stacked gate flash EEPROM cells and efficient remedying technique.
    Quan, Wuyun ; Cho, Myung Qwan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-12-01), Heft 12, S. 2340-2343
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    Stacked gate mid-channel injection flash EEPROM cell—part I: programming speed and efficiency versus device structure.
    Kim, Dae M. ; Cho, M. K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-08-01), Heft 8, S. 1696-1702
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