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    Pixel-Parallel Three-Layer Stacked CMOS Image Sensors Using Double-Sided Hybrid Bonding of SOI Wafers
    Goto, Masahide ; Honda, Yuki ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 4705-4711
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    An Over 140 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor Combined DCG and Logarithmic Response
    Lou, Shanshan ; Qu, Yang ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 4719-4724
    Online serialPeriodical
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    Pixel-Parallel Three-Layer Stacked CMOS Image Sensors Using Double-Sided Hybrid Bonding of SOI Wafers
    Goto, Masahide ; Honda, Yuki ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 4705-4711
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    An Over 140 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor Combined DCG and Logarithmic Response
    Lou, Shanshan ; Qu, Yang ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 4719-4724
    Online serialPeriodical
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    Abnormal Two-Stage Degradation Under Hot Carrier Injection With Lateral Double-Diffused MOS With 0.13-μm Bipolar-CMOS-DMOS Technology
    Hung, Wei-Chun ; Tu, Yu-Fa ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 7, S. 3419-3423
    Online serialPeriodical
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    Enhanced Stability of SiZTO TFT Under Positive Voltage and Light Negative Voltage Stress and Modified Hysteresis of the CNTs/SiZTO CMOS Inverter by Si Doping
    Huang, Chuanxin ; Ma, Dianguo ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 8, S. 4213-4219
    Online serialPeriodical
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    Low-Frequency Noise of 4H-SiC CMOS Technology for Analog ICs
    Masunaga, Masahiro
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 3228-3233
    Online serialPeriodical
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    Highly Linear RMS Microwave Power Sensor Joule-Heating-Based Using CMOS Technology
    Li, Jian-Hua ; Liao, Xiaoping
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 3263-3268
    Online serialPeriodical
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    Self-Powered Implantable CMOS Photovoltaic Cell With 18.6% Efficiency
    Zhao, Jinwei ; Parvizi, Roghaieh ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 3149-3154
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Highly Reliable and Secure PUF Using Resistive Memory Integrated Into a 28 nm CMOS Process
    Esatu, Tsegereda K. ; Prakash, Amit ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 5, S. 2291-2296
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Gate-Controlled LVTSCR for High-Voltage ESD Protections in Advanced CMOS Processes
    Chen, Ruibo ; Liu, Hongxia ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 4, S. 1566-1573
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effective Channel Mobility Extraction and Modeling of 10-nm Bulk CMOS FinFETs in Cryogenic Temperature Operation for Quantum Computing Applications
    Gupta, Sumreti ; Singh, Sujit Kumar ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 4, S. 1815-1822
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Hybrid CMOS-RRAM True Random Number Generator Exploiting Coupled Entropy Sources
    Equbal, Md Salim ; Ketkar, Tejas ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 3, S. 1061-1066
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 280-μ V Temporal Noise, 76-dB Dynamic Range CMOS Image Sensor With an In-Pixel Chopping-Based Low-Frequency Noise Reduction Technique
    Jainwal, Kapil ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 3, S. 1134-1142
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A CMOS Lock-In Pixel Image Sensor With Multisimultaneous Gate for Time-Resolved Near-Infrared Spectroscopy
    Lioe, De Xing ; Fukushi, Yasuko ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 3, S. 1102-1108
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Programming Strategy Optimization of RRAM Fabricated by 28 nm Standard CMOS Process
    Sun, Yue ; Wang, Xiaohu ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 3, S. 1025-1028
    Online serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CFET SRAM DTCO, Interconnect Guideline, and Benchmark for CMOS Scaling
    Liu, Hsiao-Hsuan ; Salahuddin, Shairfe M. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 3, S. 883-890
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design and Characterization of n/p-well CMOS SPAD With Low Dark Count Rate and High Photon Detection Efficiency
    Wu, Jau Yang ; Liu, Chun-Hsien
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2022), Heft 2, S. 582-587
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Cointegration of the TFT-Type AND Flash Synaptic Array and CMOS Circuits for a Hardware-Based Neural Network
    Park, Min-Kyu ; Kang, Won-Mook ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2022), Heft 1, S. 93-98
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Compact Numerical Modeling of Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensors
    Hu, Congzhen ; Zhang, Bing ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 12, S. 6897-6903
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