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    LTPS Pixel Driving Scheme to Improve Motion Blur for AMOLED Displays
    Lee, Jung-Min ; Kang, Chang H. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 9, S. 4950-4957
    Online serialPeriodical
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    Improvement of Strained Negative Bias Temperature Instability in Flexible LTPS TFTs by a Stress-Release Design
    Wang, Yu-Xuan ; Chang, Ting-Chang ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 3, S. 1532-1537
    Online serialPeriodical
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    Abnormal <inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>${C}$ </tex-math></inline-formula>–<inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>${V}$ </tex-math></inline-formula> Hump Effect Induced by Hot Carriers in Gate Length-Dependent p-Type LTPS TFTs
    Huang, Shin-Ping ; Shih, Yao-Kai ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 66 (2019), Heft 11, S. 4764-4767
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Abnormal <inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>${C}$ </tex-math></inline-formula>–<inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>${V}$ </tex-math></inline-formula> Hump Effect Induced by Hot Carriers in Gate Length-Dependent p-Type LTPS TFTs
    Huang, Shin-Ping
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 66 (2019), Heft 11, S. 4764-4767
    Online serialPeriodical
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    LTPS Active Pixel Circuit With Threshold Voltage Compensation for X-Ray Imaging Applications
    Tai, Ya-Hsiang ; Lin, Chi-Hao ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 66 (2019), Heft 10, S. 4216-4220
    Online serialPeriodical
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    Electrical Properties of Metal-Induced Laterally Crystallized p-Type LTPS-TFT With High-κ ZrTiO~4 Gate Dielectric Featuring Low Equivalent-Oxide-Thickness
    Park, J. H. ; Han, J. S. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 63 (2016), Heft 6, S. 2391-2397
    Online serialPeriodical
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    New Voltage-Programmed AMOLED Pixel Circuit to Compensate for Nonuniform Electrical Characteristics of LTPS TFTs and Voltage Drop in Power Line
    Lin, Chih-Lung ; Hung, Chia-Che ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 61 (2014), Heft 7, S. 2454-2458
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    New Voltage-Programmed AMOLED Pixel Circuit to Compensate for Nonuniform Electrical Characteristics of LTPS TFTs and Voltage Drop in Power Line
    Lin, C. ; Hung, C. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 61 (2014), Heft 7, S. 2454-2458
    Online serialPeriodical
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    LTPS AM-OLED Display Consisting of Two-TFTs/One-Capacitor Pixel Circuits for Producing High-Uniformity Images
    Kohno, T. ; Kuranaga, T. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 60 (2013), Heft 11, S. 3780-3786
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    One-Time-Programmable Memory in LTPS TFT Technology With Metal-Induced Lateral Crystallization
    Li, L. ; Chui, C. O. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 145-150
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The Impact of Formula Not Shown Interface Layer on a Pd/n-LTPS Schottky Diode Hydrogen Detecting Performances
    Chiang, Y. T. ; Fang, Y. K. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 57 (2010), Heft 8, S. 2013-2018
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    An Empirical Defect-Related Photo Leakage Current Model for LTPS TFTs Based on the Unit Lux Current
    Tai, Y. H. ; Kuo, Y. F. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 57 (2010), Heft 5, S. 1015-1022
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characteristics of Formula Not Shown /Poly-Si Interfacial Layer on CMOS LTPS-TFTs With Formula Not Shown Gate Dielectric and Formula Not Shown Plasma Surface Treatment
    Ma, M. W. ; Chiang, T. Y. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 55 (2008), Heft 12, S. 3489-3493
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Temperature Coefficient of Poly-Silicon TFT and Its Application on Voltage Reference Circuit With Temperature Compensation in LTPS Process
    Lu, T. C. ; Zan, H. W. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 55 (2008), Heft 10, S. 2583-2589
    Online serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Reliability Mechanisms of LTPS-TFT With HfO~2 Gate Dielectric: PBTI, NBTI, and Hot-Carrier Stress
    Ma, M. W. ; Chen, C. Y. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 55 (2008), Heft 5, S. 1153-1160
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ultrashallow Junction Formation by Self-Limiting LTP and Its Application to Sub-65-nm Node MOSFETs
    Shima, A. ; Ashihara, H. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 6, S. 1165-1171
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Compact Analytical Physical-Based Model of LTPS TFT for Active Matrix Displays Addressing Circuits Simulation and Design
    Benzarti, W. ; Plais, F. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 51 (2004), Heft 3, S. 345-350
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    Asymmetric Driving Current Modification of CMOS LTPS-TFTs With Formula Not Shown Gate Dielectric
    Ma, W. C.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 61 (2014), Heft 3, S. 930-932
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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