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    Vertical SiC Photoconductive Switch With Axial Optical Internal Reflection Trap.
    Wang, Langning ; Chu, Xu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 5028-5034
    Online academicJournal
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    Performance Enhancement and Transient Current Response of Ferroelectric Tunnel Junction: A Theoretical Study.
    Huang, Hsin-Hui ; Chu, Yueh-Hua ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4686-4692
    Online academicJournal
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    Investigation of p-GaN/N-Mg₀.₃Zn₀.₇O:In Heterojunction Photodiode for Dual-Band UV-B/UV-A Detection.
    Liu, Han-Yin ; Chu, Hung-Sheng
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2886-2893
    Online academicJournal
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    MHz Repetition Frequency, Hundreds Kilowatt, and Sub-Nanosecond Agile Pulse Generation Based on Linear 4H-SiC Photoconductive Semiconductor.
    Chu, Xu ; Liu, Jinliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-02-01), Heft 2, S. 597-603
    Online academicJournal
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    Energy-Saving Logic Gates Utilizing Coupling Phenomenon Between MIS(p) Tunneling Diodes.
    Chen, Jen Hao ; Chen, Kung Chu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6558-6562
    Online academicJournal
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    Hydrothermal Synthesis and Improved CH₃OH-Sensing Performance of ZnO Nanorods With Adsorbed Au NPs.
    Young, Sheng-Joue ; Chu, Yen-Lin
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 1886-1891
    Online academicJournal
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    Investigating Material Changes at Different Gadolinium Doping Power Levels in Indium-Tin Oxide Intended for Use as an Insulator in Resistive Switching Memory.
    Lin, Chun-Chu ; Chen, Po-Hsun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 2595-2599
    Online academicJournal
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    0.1- \mu \textm InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for Power Amplifiers Operating at 71–76 and 81–86 GHz: Impact of Passivation and Gate Recess.
    Xu, Dong ; Chu, Kanin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3076-3083
    Online academicJournal
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    Low-Temperature Bonded GaN-on-Diamond HEMTs With 11 W/mm Output Power at 10 GHz.
    Chao, Pane-Chane ; Chu, Kenneth ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-11-01), Heft 11, S. 3658-3664
    Online academicJournal
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    3-D Resistance Model for Phase-Change Memory Cell.
    Chen, Yihan ; Kwong, Kit Chu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 4098-4104
    Online academicJournal
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    Robust ESD Protection Design for 40-Gb/s Transceiver in 65-nm CMOS Process.
    Lin, Chun-Yu ; Chu, Li-Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), Heft 11, S. 3625-3631
    Online academicJournal
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    The Study of the Electrothermal Property of High-Voltage Drain-Extended MOSFETs.
    Chu, Chen-Liang ; Hu, Chih-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 1149-1154
    Online academicJournal
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    Improved Electrical and Thermal Stability of Solution-Processed Li-Doped ZnO Thin-Film Transistors.
    Su, Bo-Yuan ; Chu, Sheng-Yuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), Heft 3, S. 700-704
    Online academicJournal
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    Design and Fabrication of 4H–SiC Lateral High-Voltage Devices on a Semi-Insulating Substrate.
    Lee, Wen-Shan ; Chu, Kuan-Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), Heft 3, S. 754-760
    Online academicJournal
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    Nonsaturating Drain Current Characteristic in Short-Channel Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors.
    Chu Ryang Wie
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-04-01), Heft 4, S. 846-854
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    Fabrication of Large-Scaled Organic Light Emitting Devices on the Flexible Substrates Using Low-Pressure Imprinting Lithography.
    Kao, Po-Ching ; Chu, Sheng-Yuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-08-01), Heft 8, S. 1722-1726
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    AlGaN-GaN Double-Channel HEMTs.
    Chu, Rongming ; Zhou, Yugang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 438-446
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    NVM Characteristics of Single-MOSFET Cells Using Nitride Spacers With Gate-to-Drain NOI.
    Hsieh, Chien-Sheng ; Kao, Pai-Chu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-11-01), Heft 11, S. 1811-1817
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    Shrinkable Triple Self-Aligned Field-Enhanced Split-Gate Flash Memory.
    Chu, Wen-Ting ; Lin, Hao-Hsiung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-10-01), Heft 10, S. 1667-1671
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    Electron and Hole Mobility Enhancement in Strained SOI by Wafer Bonding.
    Huang, Lijuan ; Chu, Jack O. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-09-01), Heft 9, S. 1566-1571
    Online academicJournal
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