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    FGA Effects on Plasma-Induced Damage: Beyond the Appearances.
    Cellere, Giorgio ; Paccagnella, Alessandro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-03-01), Heft 3, S. 332-338
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Analysis of the photosite reset in FGA image sensors.
    Hynecek, J.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 37 (1990-01-10), Heft 10, S. 2193-2200
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effects of LaSiOx Thickness and Forming Gas Anneal Temperature on Threshold Voltage Instability of 4H-SiC MOSFETs With LaSiOx.
    Yang, Xiangyu ; Lee, Bongmook ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 539-545
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    LF Noise Analysis for Trap Recovery in Gate Oxides Using Built-In Joule Heater.
    Jeon, Chang-Hoon ; Kim, Choong-Ki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 5081-5086
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impact of Forming Gas Annealing on the Performance of Surface-Channel \In0.53\Ga0.47\As MOSFETs With an ALD \Al2\O3 Gate Dielectric.
    Djara, Vladimir ; Cherkaoui, Karim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 1084-1090
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Junction and Device Characteristics of Gate-Last Ge p- and n-MOSFETs With ALD-Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Gate Dielectric.
    Cheng, Chao-Ching ; Chien, Chao-Hsin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-08-01), Heft 8, S. 1681-1689
    Online academicJournal
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    A Study on Charge Reduction in HfO<subscript>2</subscript> Gate Stacks.
    Zhang, Zhihong ; Li, Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-08-01), Heft 8, S. 1839-1844
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Bias-Temperature Instabilities of Polysilicon Gate HfO[sub 2] MOSFETs.
    Onishi, Katsunori ; Choi, Rino ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-06-01), Heft 6, S. 1517-1524
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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