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    Prediction of CMOS APS design enabling maximum photoresponse for scalable CMOS technologies
    Shcherback, Igor ; Yadid-Pecht, Orly
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-02-01), Heft 2, S. 285-288
    Online academicJournal
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    CMOS-SOI-MEMS transistor for uncooled IR imaging
    Gitelman, L. ; Stolyarova, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-09-01), Heft 9, S. 1935-1942
    Online academicJournal
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    Isolation of highly doped implants on low-doped active layers for CMOS radiation drift detectors
    Langfelder, Giacomo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-08-01), Heft 8, S. 1767-1773
    Online academicJournal
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    A novel low-cost trigate process suitable for embedded CMOS 1T-1C pseudo-SRAM application
    Zaman, Rownak Jyoti ; Matthews, Kenneth ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-03-01), Heft 3, S. 448-455
    Online academicJournal
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    A CMOS image sensor with In-pixel two-stage charge transfer for fluorescence lifetime imaging
    Yoon, Hyung-June ; Itoh, Shinya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-02-01), Heft 2, S. 214-221
    Online academicJournal
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    Characteristics of Hf[O.sub.2]poly-Si interfacial layer on CMOS LTPS-TFTs with Hf[O.sub.2] gate dielectric and [O.sub.2] plasma surface treatment
    Ma, Ming-Wen ; Chiang, Tsung-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 12, S. 3489-3493
    Online academicJournal
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    Metal carbides for band-edge work function metal gate CMOS devices
    Wan Sik Hwang ; Chan, Daniel S.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-09-01), Heft 9, S. 2469-2474
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Subthreshold performance of dual-material gate CMOS devices and circuits for ultralow power analog/mixed-signal applications
    Chakraborty, Saurav ; Mallik, Abhijit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-03-01), Heft 3, S. 827-832
    Online academicJournal
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    A CMOS-compatible rapid vapor-phase doping process for CMOS scaling.
    Uchino, Takashi ; Ashburn, Peter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004), Heft 1, S. 14-19
    Online academicJournal
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    A low-power robust humidity sensor in a standard CMOS process
    Okcan, Burak ; Akin, Tayfun
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-11-01), Heft 11, S. 3071-6148
    Online academicJournal
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    Extended one-dimensional analysis to effectively derive quantum efficiency of various CMOS photodiodes
    Chen, Oscal T. C. ; Liu, Wei-Jean ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-10-01), Heft 10, S. 2659-2668
    Online academicJournal
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    Dependence of device structures on latchup immunity in a high-voltage 40-V CMOS process with drain-extended MOSFETs
    Hsu, Sheng-Fu ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-04-01), Heft 4, S. 840-851
    Online academicJournal
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    A comparative study of HfTaON/Si[O.sub.2] and HfON/Si[O.sub.2] gate stacks with TaN metal gate for advanced CMOS applications
    Yu, Xiongfei ; Yu, Mingbin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-02-01), Heft 2, S. 284-290
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of halo doping on the subthreshold performance of deep-submicrometer CMOS devices and circuits for ultralow power analog/mixed-signal applications
    Chakraborty, Saurav ; Mallik, Abhijit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-02-01), Heft 2, S. 241-248
    Online academicJournal
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    Design and characterization of CMOS/SOI image sensors
    Brouk, Igor ; Alameh, Kamal ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007), Heft 1, S. 468-475
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CMOS-compatible SOI MESFETs with high breakdown voltage
    Ervin, Joseph ; Balijepalli, Asha ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 12, S. 3129-3135
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Local clustering 3-D stacked CMOS technology for interconnect loading reduction
    Lin, Xinnan ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-06-01), Heft 6, S. 1405-1410
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fundamentals of silicon material properties for successful exploitation of strain engineering in modern CMOS manufacturing
    Chidambaran, P.R. ; Bowen, Chris ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-05-01), Heft 5, S. 944-964
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    CMOS device noise considerations for terabit lightwave systems
    Dronavalli, Smitha ; Jindal, Renuka P.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-04-01), Heft 4, S. 623-630
    Online academicJournal
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    Channel-hot-carrier degradation and bias temperature instabilities in CMOS inverters
    Martin-Martinez, J. ; Gerardin, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-09-01), Heft 9, S. 2155-2159
    Online academicJournal
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