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    The PSD General Response Function
    Li, Enpu ; Kong, Lingchen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), S. 835-840
    Online unknown
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    The PSD transfer function
    Young, Ian T. ; Verbeek, Piet W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002), S. 202-206
    Online unknown
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    Lateral Photocurrent-Induced High-Performance Self-Powered Photodetector Observed in CIGS Heterojunction
    Li, Zhiqiang ; Yang, Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), S. 1639-1644
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Thermal Noise Models for Trigate Junctionless Transistors Including Substrate Bias Effects
    Singh, Balraj ; Gola, Deepti ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), S. 263-269
    Online unknown
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    TaN Versus TiN Metal Gate Input/Output pMOSFETs: A Low-Frequency Noise Perspective
    Ritzenthaler, Romain ; Horiguchi, Naoto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), S. 3676-3681
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Position dependence of the transient response of a position-sensitive detector under periodic pulsed light modulation
    Narayanan, C. ; Buckman, A. Bruce ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993-09-01), Heft 9, S. 1688-1694
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    NH3 PDA Temperature-Impact on Low-Frequency Noise Behavior of Si0.7Ge0.3 pFinFETs
    Xie, Duan ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-12-01), S. 6985-6990
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A Time-Resolved CMOS Image Sensor With Draining-Only Modulation Pixels for Fluorescence Lifetime Imaging
    Li, Zhuo ; Hashimoto, Mamoru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-10-01), S. 2715-2722
    Online unknown
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    Linearity Indices and Linearity Improvement of 2-D Tetralateral Position-Sensitive Detector
    Yeng Chai Soh ; Cui, Song
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-09-01), S. 2310-2316
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    Temperature-Dependent Low-Frequency Noise Analysis of ZnO Nanowire Field-Effect Transistors
    Lee, Takhee ; Shao, Ye ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), S. 3532-3536
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Position dependence of the transient response of a position-sensitive detector under periodic pulsed light modulation
    Narayanan, C. ; Buckman, A. B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993), S. 1688-1694
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design and performance of the mesh-type high-speed silicon optical position-sensitive devices
    Dutta, A.K. ; Hatanaka, Yoshinori
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991-03-01), S. 498-504
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Low-Frequency Noise Characteristics Under the OFF-State Stress
    Yoo, Min-Soo ; Lee, Geon-Beom ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), S. 4366-4371
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Quantitative analysis of effects causing nonlinear position response in position-sensitive photodetectors
    Noorlag, D.J.W.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 29 (1982), S. 158-161
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The linearity and sensitivity of lateral effect position sensitive devices-an improved geometry
    Busch‐Vishniac, Ilene J. ; Wang, W.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-11-01), S. 2475-2480
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    A new polysilicon process for a bipolar device—PSA technology
    Aomura, K. ; Nakamura, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 26 (1979-04-01), S. 385-389
    Online unknown
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