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    Depletion-Mode β -Ga 2 O 3 MOSFETs Grown by Nonvacuum, Cost-Effective Mist-CVD Method on Fe-Doped GaN Substrates.
    Xu, Yu ; Zhang, Chunfu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1196-1199
    Online academicJournal
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    Demonstration of 40-nm Channel Length Top-Gate p-MOSFET of WS2 Channel Directly Grown on SiOx/Si Substrates Using Area-Selective CVD Technology.
    Chung, Yun-Yan ; Shieh, Jia-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5381-5386
    Online academicJournal
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    Fluorine Effects Originating From the CVD-W Process on Charge-Trap Flash Memory Cells.
    Moon, Jungmin ; Lee, Tae Yoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 378-382
    Online academicJournal
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    All CVD Boron Nitride Encapsulated Graphene FETs With CMOS Compatible Metal Edge Contacts.
    Pandey, Himadri ; Shaygan, Mehrdad ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4129-4134
    Online academicJournal
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    Influence of Deposition Temperature and Source Gas in PE-CVD for SiO2 Passivation on Performance and Reliability of In–Ga–Zn–O Thin-Film Transistors.
    Aman, S. G. Mehadi ; Koretomo, Daichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 3257-3263
    Online academicJournal
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    CVD Technology for 2-D Materials.
    Shen, Pin-Chun ; Lin, Yuxuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4040-4052
    Online academicJournal
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    Low-Temperature ICP-CVD SiNx as Gate Dielectric for GaN-Based MIS-HEMTs.
    Dutta, Gourab ; DasGupta, Nandita ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4693-4701
    Online academicJournal
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    Characterization of the CVD Graphene Monolayer as an Active Element of a One-Port Microwave Device.
    Judek, Jaroslaw ; Zdrojek, Mariusz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 4340-4345
    Online academicJournal
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    Volltext
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    On the ESD Behavior of Large-Area CVD Graphene Transistors: Physical Insights and Technology Implications.
    Nagothu, Kranthi Karmel ; Mishra, Abhishek ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 743-751
    Online academicJournal
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    Mist-CVD Grown Sn-Doped $\alpha $ -Ga2O3 MESFETs.
    Dang, Giang T. ; Kawaharamura, Toshiyuki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-11-01), Heft 11, S. 3640-3644
    Online academicJournal
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    Cu Single Damascene Integration of an Organic Nonporous Ultralow- k Fluorocarbon Dielectric Deposited by Microwave-Excited Plasma-Enhanced CVD.
    Gu, Xun ; Nemoto, Takenao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-05-01), Heft 5, S. 1445-1453
    Online academicJournal
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    High-Mobility CVD-Grown Ge/Strained Ge0.9Sn0.1/Ge Quantum-Well pMOSFETs on Si by Optimizing Ge Cap Thickness.
    Huang, Yu-Shiang ; Tsou, Ya-Jui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-06-01), Heft 6, S. 2498-2504
    Online academicJournal
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    Hybrid Graphene/Fluoropolymer Field-Effect Transistors With Improved Device Performance.
    Ha, Tae-Jun
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 12, S. 4340-4344
    Online academicJournal
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    Scaling issues and Ge profile optimization in advanced UHV/CVD SiGe HBT's.
    Richey, David M. ; Cressler, John D.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-03-01), Heft 3, S. 431-440
    Online academicJournal
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    Investigation of Mg X Zn 1− X O/ZnO Heterojunction Thin-Film Transistors Fabricated Using Mist-Chemical Vapor Deposition.
    Liu, Han-Yin ; Hsu, Pei-Huang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1083-1091
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    Current Transient Spectroscopic Study of Vacancy Complexes in Diamond Schottky p-i-n Diode.
    Chaudhuri, Sandeep K. ; Malakoutian, Mohamadali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4469-4473
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design of a High-Q Diamond-Loaded Cavity for a Third-Harmonic Subterahertz Gyrotron Driven by a Low-Power Electron Beam.
    Shcherbinin, Vitalii I. ; Avramidis, Konstantinos A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3386-3392
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    Evaluation of CVD/PVD multilayered seed for electrochemical deposition of Cu-damascene interconnects.
    Furuya, Akira ; Tagami, Masayoshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-05-01), Heft 5, S. 733-738
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    High-temperature CVD for crystalline-silicon thin-film solar cells.
    Faller, Frank R. ; Hurrle, Albert
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-10-01), Heft 10, S. 2048-2054
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    Quantifying neutral base recombination and the effects of collector-base junction traps in UHV/CVD SiGe HBT's.
    Niu, Guofu ; Cressler, John D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-12-01), Heft 12, S. 2499-2504
    Online academicJournal
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xs 0 - 576
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md 768 - 992
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xl 1200 - 1366
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