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    JSWof 5.5 MA/cm<superscript>2</superscript> and RA of 5.2-Ω · μm<superscript>2</superscript> STT-MRAM Technology for LLC Application.
    Sakhare, Sushil ; Rao, Siddharth ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 3618-3625
    Online academicJournal
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    JSWof 5.5 MA/cm2 and RA of 5.2-Ω · μm2 STT-MRAM Technology for LLC Application.
    Sakhare, Sushil ; Rao, Siddharth ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 3618-3625
    Online academicJournal
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    Using Phase Jumping Method to Enhance the Beam–Wave Interaction Efficiency in Terahertz Folded-Waveguide Traveling-Wave Tube.
    Lan, Feng ; Li, Mengzhen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4586-4591
    Online academicJournal
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    Cold Carrier Injection Mechanism for Gate Oxide Integrity of High Voltage NDMOS.
    Coyne, Edward ; Wang, Edward Aiguo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3271-3276
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A Review of 3-Dimensional Wafer Level Stacked Backside Illuminated CMOS Image Sensor Process Technologies.
    Wuu, Shou-Gwo ; Chen, Hsin-Li ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2766-2778
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Unraveling the Dynamics of Charge Trapping and De-Trapping in Ferroelectric FETs.
    Deng, Shan ; Zhao, Zijian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1503-1511
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Efficiency of Ferroelectric Field-Effect Transistors: An Experimental Study.
    Tasneem, Nujhat ; Islam, Muhammad M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1568-1574
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Element Edge Based Discretization for TCAD Device Simulation.
    Sanchez, Juan E. ; Chen, Qiusong
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 5414-5420
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Effect of the Si Doping Content in HfO 2 Film on the Key Performance Metrics of Ferroelectric FETs.
    Mulaosmanovic, Halid ; Dunkel, Stefan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4773-4779
    Online academicJournal
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    A High-Current-Density Electron Beam for Millimeter-Wave Amplifiers.
    Cook, Alan M. ; Wright, Edward L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 3040-3044
    Online academicJournal
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    Demonstration of a W-Band Traveling-Wave Tube Power Amplifier With 10-GHz Bandwidth.
    Cook, Alan M. ; Wright, Edward L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2492-2498
    Online academicJournal
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    Piezoresistive Characteristics of MOSFET Channels Determined With Indentation.
    Schlipf, S. ; Clausner, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 1483-1488
    Online academicJournal
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    An Analytical Method to Evaluate the Spectrum of Multicarrier Multipactor Discharge.
    Yang, Huiping ; Huang, Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 1918-1923
    Online academicJournal
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    Impact of the Nonlinear Dielectric Hysteresis Properties of a Charge Trap Layer in a Novel Hybrid High-Speed and Low-Power Ferroelectric or Antiferroelectric HSO/HZO Boosted Charge Trap Memory.
    Ali, Tarek ; Mertens, Konstantin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2098-2106
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    Investigation of Accumulative Switching in Ferroelectric FETs: Enabling Universal Modeling of the Switching Behavior.
    Mulaosmanovic, Halid ; Dunkel, Stefan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 5804-5809
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    Impact of Residual Carbon on Avalanche Voltage and Stability of Polarization-Induced Vertical GaN p-n Junction.
    Fabris, Elena ; De Santi, Carlo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), Heft 10, S. 3978-3982
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    Interplay Between Switching and Retention in HfO<subscript>2</subscript>-Based Ferroelectric FETs.
    Mulaosmanovic, Halid ; Muller, Franz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3466-3471
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Interplay Between Switching and Retention in HfO2-Based Ferroelectric FETs.
    Mulaosmanovic, Halid ; Muller, Franz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3466-3471
    Online academicJournal
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    A Study on the Temperature-Dependent Operation of Fluorite-Structure-Based Ferroelectric HfO<subscript>2</subscript> Memory FeFET: A Temperature-Modulated Operation.
    Ali, T. ; Kuhnel, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 2793-2799
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    A Study on the Temperature-Dependent Operation of Fluorite-Structure-Based Ferroelectric HfO<subscript>2</subscript> Memory FeFET: Pyroelectricity and Reliability.
    Ali, T. ; Kuhnel, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 2981-2987
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