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    A Review of Low Temperature Process Modules Leading Up to the First (≤500 °C) Planar FDSOI CMOS Devices for 3-D Sequential Integration.
    Fenouillet-Beranger, C. ; Brunet, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3142-3148
    Online academicJournal
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    A Snapback Suppressed RC -IGBT With N-Si/n-Ge Heterojunction at Low Temperature.
    Zhang, Xiao-Dong ; Wang, Ying ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 5062-5067
    Online academicJournal
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    Deep Pipeline Circuit for Low-Power Spintronic Devices.
    Pei, Zhenlin ; Shang, Liuting ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 1962-1968
    Online academicJournal
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    A High Gain Low-Noise Amplifier Based on ITO-Stabilized ZnO Thin-Film Transistors.
    Fan, Houbo ; Li, Guoyuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 5537-5543
    Online academicJournal
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    A Novel Voltage Divider Trigger SCR With Low Leakage Current for Low-Voltage ESD Application.
    Liu, Jizhi ; Liu, Yilin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2534-2542
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Functional Dielectric Properties of Solution-Processed Lithium Indium Tin Oxide (LiInSnO₄) and Its Application as a Gate Insulator of a Low Voltage Thin Film Transistor.
    Pandey, Utkarsh ; Chourasia, Nitesh K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1077-1082
    Online academicJournal
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    High Field-Effect Mobility Two-Channel InGaZnO Thin-Film Transistors for Low-Voltage Operation.
    Yun, Kwang-Ro ; Lee, Hwa-Seub ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6166-6170
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Impact of AlGaN/GaN Interface and Passivation on the Robustness of Low-Noise Amplifiers.
    Huang, Tongde ; Axelsson, Olle ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 2297-2303
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Compact ESD Protection Design for CMOS Low-Noise Amplifier.
    Lin, Chun-Yu ; Huang, Guo-Lun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 33-39
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Near-Interface Trap Model for the Low Temperature Conductance Signal in SiC MOS Capacitors With Nitrided Gate Oxides.
    Nicholls, Jordan R. ; Vidarsson, Arnar M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 3722-3728
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    RF Performance of Devices Processed in Low-Temperature Sequential Integration.
    Mota Frutuoso, T. ; Sideris, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3157-3162
    Online academicJournal
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    Two-Stage Ku -Band Graphene Low Noise Amplifier MMIC With Improved Fabrication Process.
    Yu, Cui ; He, Zezhao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1596-1599
    Online academicJournal
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    Low Operating Voltage Solution Processed (Li₂ZnO₂) Dielectric and (SnO₂) Channel-Based Medium Wave UV-B Phototransistor for Application in Phototherapy.
    Singh, Abhishek Kumar ; Chourasia, Nitesh K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), Heft 5, S. 2028-2034
    Online academicJournal
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    A Concentric Arc Meander Line Slow Wave Structure Applied on Low Voltage and High Efficiency Ka-Band TWT.
    Wen, Zheng ; Luo, Jirun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 1262-1266
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Extended Scale Length Theory for Low-Dimensional Field-Effect Transistors.
    Gilardi, Carlo ; Bennett, Robert K. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 5302-5309
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Statistical Write Stability Characterization in SRAM Cells at Low Supply Voltage.
    Qiu, Hao ; Takeuchi, Kiyoshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-11-01), Heft 11, S. 4302-4308
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Electron Multiplying Low-Voltage CCD With Increased Gain.
    Stefanov, Konstantin D. ; Dunford, Alice ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2990-2996
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    A Modified CLTdSCR With Low Leakage and Low Capacitance for ESD Protection.
    Sun, Kangming ; Li, Ting ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 934-937
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    A New SCR Structure With High Holding Voltage and Low ON-Resistance for 5-V Applications.
    Do, Kyoung-II ; Koo, Yong-Seo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-03-01), Heft 3, S. 1052-1058
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    Modeling Electrostatics and Low-Field Electron Mobility of GaN FinFETs.
    Kumar, Viswanathan Naveen ; Povolotskyi, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4835-4842
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