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    Improving the Electrical Integrity of Cu-CoSi2 Contacted n+p Junction Diodes Using Nitrogen-Incorporated Ta Films as a Diffusion Barrier.
    Yang, Wen-luh ; Wu, Wen-fa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-11-01), Heft 11, S. 1947-1954
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    High quality interpoly dielectrics deposited on the nitrided-polysilicon for nonvolatile memory devices.
    Yang, Wen Luh ; Chao, Tien Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-07-01), Heft 7, S. 1304-1309
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effects of the Molecular Chain Length of Polyimide on the Characteristics of Organic Resistive Random Access Memories.
    Wu, Chi-Chang ; Wu, Wen-Fa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 277-282
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impact of N2O activation treatment on junction characteristics of p+/n junctions formed by a solid diffusion source.
    Yang, Wen Luh ; Liu, Don-Gey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-06-01), Heft 6, S. 1277-1279
    Online academicJournal
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    High-Performance Double-Layer Nickel Nanocrystal Memory by Ion Bombardment Technique.
    Liu, Sheng-Hsien ; Yang, Wen-Luh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-10-01), Heft 10, S. 3393-3399
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Ion-Bombarded and Plasma-Passivated Charge Storage Layer for SONOS-Type Nonvolatile Memory.
    Liu, Sheng-Hsien ; Wu, Chi-Chang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), Heft 9, S. 3179-3185
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Improving the Electrical Integrity of Cu-CoSi[sub 2] Contacted n[sup +]p Junction Diodes Using Nitrogen-Incorporated Ta Films as a Diffusion Barrier.
    Wen Luh Yang ; Wu, Wen-Fa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-11-01), Heft 11, S. 1947-1954
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Investigations of Novel \Gamma-Gate MOS-HEMTs by Ozone Water Oxidation and Shifted Exposure Techniques.
    Lee, Ching-Sung ; Chou, Bo-Yi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-09-01), Heft 9, S. 2981-2989
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High-Reliability Dynamic-Threshold Source-Side Injection for 2-Bit/Cell With MLC Operation of Wrapped Select-Gate SONOS in nor-Type Flash Memory.
    Wang, Kuan-Ti ; Chao, Tien-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-09-01), Heft 9, S. 2335-2338
    Online academicJournal
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    Characteristics of SONOS-Type Flash Memory With In Situ Embedded Silicon Nanocrystals.
    Chiang, Tsung-Yu ; Wu, Yi-Hong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 8, S. 1895-1902
    Online academicJournal
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    Impact of N[sub 2]O Activation Treatment on Junction Characteristics of p[sup +]/n Junctions Formed by a Solid Diffusion Source.
    Wen Luh Yang ; Liu, Don-Gey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-06-01), Heft 6, S. 1277-1279
    Online academicJournal
    Zugriff:
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