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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Time Domain Noise Analysis of Oversampled CMOS Image Sensors.
    Suess, Andreas ; Wilhelmsen, Mathias ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2973-2978
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Displacement Damage Effects in Backside Illuminated CMOS Image Sensors.
    Liu, Bingkai ; Li, Yudong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2907-2914
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Demonstration of CMOS-Compatible Multi-Level Graphene Interconnects With Metal Vias
    Agashiwala, Kunjesh ; Jiang, Junkai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in eScholarship (Volltext)
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    HDR CMOS Image Sensors for Automotive Applications.
    Takayanagi, Isao ; Kuroda, Rihito
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2815-2823
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A Low-Power Column-Parallel ΣΔ ADC With Shared OTAs and Single-Bit-BWI Decimation Filter for CMOS Image Sensor.
    Wang, Zhongjie ; Ma, Qiyun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2979-2985
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Signal-to-Noise Ratio Enhancement in Cardiac Pulse Measurements Using Multitap CMOS Image Sensors With In-Pixel Temporal Redundant Samplings.
    Cao, Chen ; Hakamata, Masashi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2851-2857
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A Review of 3-Dimensional Wafer Level Stacked Backside Illuminated CMOS Image Sensor Process Technologies.
    Wuu, Shou-Gwo ; Chen, Hsin-Li ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2766-2778
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Mitigation of Parasitic Light Sensitivity in Global Shutter CMOS Image Sensors Through Use of Correction Frame.
    Marcelot, O. ; Pace, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4491-4496
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Global Shutter Wide Dynamic Range Soft X-Ray CMOS Image Sensor With Backside- Illuminated Pinned Photodiode, Two-Stage Lateral Overflow Integration Capacitor, and Voltage Domain Memory Bank.
    Shike, Hiroya ; Kuroda, Rihito ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2056-2063
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Dual NIR-Band Lock-In Pixel CMOS Image Sensor With Device Optimizations for Remote Physiological Monitoring.
    Cao, Chen ; Dutta, Jaydeep Kumar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 1688-1693
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    CMOS Image Sensor With Two-Step Single-Slope ADC Using Differential Ramp Generator.
    Park, Sung-Yun ; Kim, Hyeon-June
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 4966-4971
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Staggered Pixel Layout to Reduce Area and Increase Full Well Capacity in CMOS Image Sensors.
    Brunetti, Alessandro Michel ; Musolino, Mattia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 572-577
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Two-Tap Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pump Gate Modulator for Low-Power Applications.
    Zhang, Bing ; Hu, Congzhen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2858-2864
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Analysis of Charge Transfer Potential Barrier in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2770-2777
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improved Correlated Multiple Sampling by Using Interleaved Pixel Source Follower for High-Resolution and High-Framerate CMOS Image Sensor.
    Tomioka, Kohei ; Yasue, Toshio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2326-2334
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ambient Temperature-Induced Device Self-Heating Effects on Multi-Fin Si CMOS Logic Circuit Performance in N-14 to N-7 Scaled Technologies.
    Venkateswarlu, Sankatali ; Nayak, Kaushik
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1530-1536
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    4H-SiC CMOS Transimpedance Amplifier of Gamma-Irradiation Resistance Over 1 MGy.
    Masunaga, Masahiro ; Sato, Shintaroh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 224-229
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Wide Spectral Response Single Photon Avalanche Diode for Backside-Illumination in 55-nm CMOS Process.
    Liu, Yang ; Liu, Maliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 5041-5047
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    On Border Traps in Back-Side-Illuminated CMOS Image Sensor Oxides.
    Vici, Andrea ; Russo, Felice ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), Heft 5, S. 2022-2027
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Pixel Design Driven Performance Improvement in 4T CMOS Image Sensors: Dark Current Reduction and Full-Well Enhancement.
    Brunetti, Alessandro Michel ; Musolino, Mattia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 409-412
    Online academicJournal
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