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    Evidence for a Composite Interface State Generation Mode in the CHE-Stressed Deep-Submicrometer n-MOSFET
    Diing Shenp Ang ; Phua, T.W.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-12-01), S. 2246-2248
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    RF Performance of Stacked Si Nanosheet nFETs
    Huang, Bo-Wei ; Chung, Chia-Che ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), S. 5277-5283
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    Architecture and Optimization of 2T (Footprint) SRAM
    Tsen, Chia-Jung ; Lin, Hsin-Cheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), S. 4918-4924
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    Effects of Ambient/Carrier Gas on Amorphous InGaZnO-Based Thin-Film Transistors Using Ultrasonic Spray Pyrolysis Deposition
    Hsu, Wei-Chou ; Lee, Ching-Sung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), S. 2729-2735
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    Investigation on Photoanode Modified With TiO2–ZnO–Ag Nanofibers in Dye-Sensitized Solar Cell Under Different Intensities of Illuminations
    Rangasamy, Manjunath ; Chou, Jung-Chuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), S. 4983-4989
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    The Design of Aluminum Nitride-Based Lead-Free Piezoelectric MEMS Accelerometer System
    Tsai, Cheng-Che ; Wei, Chia-Ling ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), S. 4399-4404
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    Advantage of SiO2 Intermediate Layer on the Electron Injection for Ti/n-Al0.60Ga0.40N Structure
    Bi, Wengang ; Zhang, Zi-Hui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), S. 3548-3552
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    Neuro-Inspired-in-Memory Computing Using Charge-Trapping MemTransistor on Germanium as Synaptic Device
    Yi, Chin-Ya ; Wang, S.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), S. 3605-3609
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    LTPS Active Pixel Circuit With Threshold Voltage Compensation for X-Ray Imaging Applications
    Tu, Cheng-Che ; Karim, Karim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), S. 4216-4220
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    Preliminary Circuit Analysis of a $W$ -Band High-Power Extended Interaction Oscillator With Distributed Hollow Electron Beam
    Zhang, Ping ; Li, Hailong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-07-01), S. 3190-3195
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    Preliminary Study of a Multiple-Beam Extended-Interaction Oscillator With Coaxial Structure
    Li, Hailong ; Peng, Ruibin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-06-01), S. 2108-2113
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    Monte Carlo Simulation of Nanowires Array Biosensor With AC Electroosmosis
    Lee, Che-An ; Watanabe, Hiroshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-05-01), S. 1932-1938
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    A Novel Hybrid Method for Estimating Channel Temperature and Extracting the AlGaN/GaN HEMTs Model Parameters
    Ma, Kaixue ; Zhang, Mi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-04-01), S. 1340-1347
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    Driving Method of Three-Particle Electrophoretic Displays
    Kao, Wen-Chung ; Tsai, Jui-Che
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), S. 1023-1028
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    Write-Once-Read-Many-Times Characteristic of InZnO Oxide Semiconductor
    Tsao, Che-Chang ; Lin, Yu-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), S. 978-985
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    Improved AlGaN/GaN Metal–Oxide– Semiconductor High-Electron Mobility Transistors With TiO2Gate Dielectric Annealed in Nitrogen
    Lin, Yu-Shyan ; Lu, Chi-Che
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-02-01), S. 783-787
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    Localized Tunneling Phenomena of Nanometer Scaled High- ${K}$ Gate-Stack
    Hsin-Jyun Vincent Lin ; Watanabe, Hiroshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), S. 3077-3083
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    Amorphous InSnZnO Thin-Film Transistor Voltage-Mode Active Pixel Sensor Circuits for Indirect X-Ray Imagers
    Nakata, Mitsuru ; Huang, Che-Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), S. 4802-4810
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    Experimental Realization of a Ternary-Phase Alloy Through Microwave-Activated Annealing for Ge Schottky pMOSFETs
    Chien, Hung-Pin ; Tsai, Yi-He ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-07-01), S. 2714-2721
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    Temperature-Dependent Characteristics of GaN Homojunction Rectifiers
    Dupuis, Russell D. ; Abul Fazal Muhammad Saniul Haq ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-08-01), S. 2679-2683
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