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    academicJournal
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    A Two-Tap Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pump Gate Modulator for Low-Power Applications.
    Zhang, Bing ; Hu, Congzhen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2858-2864
    Online academicJournal
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    Analysis of Charge Transfer Potential Barrier in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2770-2777
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dynamic Capacitance Variations Due to Barrier Modulation in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensor.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5202-5208
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    academicJournal
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    Compact Modeling of Charge Transfer in Pinned Photodiodes for CMOS Image Sensors.
    Capoccia, Raffaele ; Boukhayma, Assim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 160-168
    Online academicJournal
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    Dynamic Capacitance Model of a Pinned Photodiode in CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2892-2898
    Online academicJournal
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    Advancing Monolayer 2-D nMOS and pMOS Transistor Integration From Growth to Van Der Waals Interface Engineering for Ultimate CMOS Scaling.
    Dorow, Chelsey ; O'Brien, Kevin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6592-6598
    Online academicJournal
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    Analysis and Equivalent-Circuit Model for CMOS On-Chip Multiple Coupled Inductors in the Millimeter-Wave Region.
    Gao, Zongzhi ; Kang, Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 12, S. 3957-3964
    Online academicJournal
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    A Potential-Based Characterization of the Transfer Gate in CMOS Image Sensors.
    Xu, Yang ; Ge, Xiaoliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 42-48
    Online academicJournal
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    Volltext
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Design and Analysis of a CMOS Moore Fractal MOM Capacitor With an Application to an RF Active Image Reject Filter.
    Ray, Arup ; De, Arijit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-02-01), Heft 2, S. 704-710
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A 1.7-in, 33-Mpixel, 120-frames/s CMOS Image Sensor With Depletion-Mode MOS Capacitor-Based 14-b Two-Stage Cyclic A/D Converters.
    Yasue, Toshio ; Kitamura, Kazuya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 153-161
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Column-Parallel Inverter-Based Cyclic ADC for CMOS Image Sensor With Capacitance and Clock Scaling.
    Tang, Fang ; Wang, Bo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 162-167
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Materials to Systems Co-Optimization Platform for Rapid Technology Development Targeting Future Generation CMOS Nodes
    Pal, Ashish ; Reddy, Vinod ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), S. 5358-5363
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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    Temporal Readout Noise Analysis and Reduction Techniques for Low-Light CMOS Image Sensors.
    Boukhayma, Assim ; Peizerat, Arnaud ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 72-78
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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