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    Bias Dependence Model of Peak Frequency of GaN Trap in GaN HEMTs Using Low-Frequency Y₂₂ Parameters
    Oishi, Toshiyuki ; Shinjo, Shintaro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), S. 5565-5571
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    Low-Voltage Operating Field-Effect Transistors and Inverters Based on In₂O₃ Nanofiber Networks
    Wang, Wenhao ; Gao, Qian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2522-2529
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    Low Leakage and High Forward Current Density Quasi-Vertical GaN Schottky Barrier Diode With Post-Mesa Nitridation
    Liu, Xinyu ; Kang, Xuanwu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), S. 1369-1373
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    Performance Modulation in All-Solution-Driven InCaOₓ/HfGdOₓ Thin-Film Transistors and Exploration in Low-Voltage-Operated Logic Circuits
    Wang, Wenhao ; Xia, Yufeng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), S. 4238-4244
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    High-Performance Normally-OFF AlGaN/GaN Fin-MISHEMT on Silicon With Low Work Function Metal-Source Contact Ledge
    Huang, Yi-Ping ; Huang, Chih-Chieh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), S. 5434-5440
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    Low-Frequency Noise Parameter Extraction Method for Single-Layer Graphene FETs
    Happy, Henri ; Garrido, Jose A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), S. 2093-2099
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    Low-Field Mobility and High-Field Velocity of Charge Carriers in InGaAs/InP High-Electron-Mobility Transistors
    Vorobiev, Andrei ; Isabel Harrysson Rodrigues
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-04-01), S. 1786-1791
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    Switching Performance Comparison With Low Switching Energy Due to Initial Temperature Increment in CoFeB/MgO-Based Single and Double Barriers
    Kaewrawang, Arkom ; Kruesubthaworn, Anan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-09-01), S. 4062-4067
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    Enhancement-Mode Recessed Gate and Cascode Gate Junctionless Nanowire With Low-Leakage and High-Drive Current
    Mickevicius, R. V. ; Braga, Nelson ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), S. 4004-4008
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Degradation and Failure of Flexible Low-Temperature Poly-Si TFTs Under Dynamic Stretch Stress
    Zhang, Dongli ; Wang, Huaisheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), S. 4455-4461
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    Temperature-Dependent Low-Frequency Noise Analysis of ZnO Nanowire Field-Effect Transistors
    Lee, Takhee ; Shao, Ye ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), S. 3532-3536
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    A Snapback Suppressed RC-IGBT With N-Si/n-Ge Heterojunction at Low Temperature
    Zhang, Xiao-Dong ; Cao, Fei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), S. 5062-5067
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    Input-Referred Low-Frequency Noise Analysis for Single-Layer Graphene FETs
    Mavredakis, Nikolaos ; Jiménez, David
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), S. 4762-4765
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    Low Switching Loss and EMI Noise IGBT With Self-Adaptive Hole-Extracting Path
    Zhang, Sen ; Fan, Diao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2572-2576
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    Design of a Low-Power Short-Channel Electrostatically Doped Silicene Nanoribbon FET
    Gholipour, Morteza ; Alireza Aghanejad Ahmadchally ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1956-1961
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    Low-Frequency Noise Analysis of the Optimized Post High-k Deposition Annealing in FinFET Technology
    Yang, Hui ; Deng, Wufeng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), S. 1202-1206
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    New Strained LDMOS With Ultralow ON-Resistance by Si1−yCySource Stressor for About 20 V Low-Voltage Applications
    Duan, Baoxing ; Wang, Yandong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), S. 4998-5004
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    High-Frequency Switching Properties and Low Oxide Electric Field and Energy Loss in a Reverse-Channel 4H-SiC UMOSFET
    Wang, Lei ; Liu, Xingfang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), S. 4046-4053
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    Impact of Dummy Gate Removal and a Silicon Cap on the Low-Frequency Noise Performance of Germanium nFinFETs
    Xie, Duan ; Horiguchi, Naoto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), S. 4713-4719
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    A Novel Double-RESURF SOI-LIGBT With Improved $V_{\mathrm{\scriptscriptstyle ON}}-{E}_{ \mathrm{\scriptscriptstyle OFF}}$ Tradeoff and Low Saturation Current
    Hu, Huan ; Chen, Xingbi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-03-01), S. 1059-1065
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