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    Toward Monolithically Integrated Hybrid CMOS-NEM Circuits
    Horace-Herron, Kelsey ; Usai, Giulia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), S. 6430-6436
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    Prospects for Wide Bandgap and Ultrawide Bandgap CMOS Devices
    Han Wui Then ; Hickman, Austin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), S. 4010-4020
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    Thermal Stress-Aware CMOS–SRAM Partitioning in Sequential 3-D Technology
    Spessot, Alessio ; Eugenio Dentoni Litta ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), S. 4631-4635
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    Carbon Nanotube-Based CMOS SRAM: 1 kbit 6T SRAM Arrays and 10T SRAM Cells
    Shulaker, Max M. ; Lau, Christian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), S. 5375-5380
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    CMOS-Like Logic Circuits With Unipolar Thin-Film Transistors on Flexible Substrate
    Wong, William S. ; Li, Qing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-02-01), S. 512-517
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    RF/High-Speed I/O ESD Protection: Co-optimizing Strategy Between BEOL Capacitance and HBM Immunity in Advanced CMOS Process
    Groeseneken, Guido ; Linten, Dimitri ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), S. 2752-2759
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    Physical Basis for CMOS SCR Compact Models
    Mertens, Robert ; Rosenbaum, Elyse
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), S. 296-302
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    On-Chip HBM and HMM ESD Protection Design for RF Applications in 40-nm CMOS Process
    Lin, Chun-Yu ; Chang, Rong-Kun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), S. 5267-5274
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    Modeling Interconnects for Post-CMOS Devices and Comparison With Copper Interconnects
    Naeemi, Azad ; Rakheja, Shaloo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-05-01), S. 1319-1328
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    Pseudo-CMOS: A Design Style for Low-Cost and Robust Flexible Electronics
    Lo, Chun-Ming ; Yeh, Yung-Hui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011), S. 141-150
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    Considerations for Ultimate CMOS Scaling
    Kuhn, K.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-07-01), S. 1813-1828
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design and Characterization of CMOS/SOI Image Sensors
    Nemirovsky, Yael ; Alameh, Kamal ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-03-01), S. 468-475
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    Stress Memorization Technique—Fundamental Understanding and Low-Cost Integration for Advanced CMOS Technology Using a Nonselective Process
    Okuno, Y. ; Aoulaiche, Marc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-08-01), S. 1690-1697
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    CMOS active pixel image sensors fabricated using a 1.8-V, 0.25-μm CMOS technology
    Agnello, P.D. ; Chang, R.T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-04-01), S. 889-894
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    Back-gated CMOS on SOIAS for dynamic threshold voltage control
    Vieri, C. ; Chandrakasan, Anantha P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-05-01), S. 822-831
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A high-speed low-power Hi-CMOS 4K static RAM
    Yasui, Tokumasa ; Sakai, Yoshio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 26 (1979-06-01), S. 882-885
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    Operation of CMOS devices with a floating well
    Hu, Chenming ; Sakai, I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 34 (1987-02-01), S. 335-343
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    A three-dimensional CMOS design methodology
    Hoefflinger, B. ; Liu, S.T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 31 (1984-02-01), S. 171-173
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    Scaling Trends of Monolithic 3-D Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Nanoelectromechanical Reconfigurable Logic Circuits
    Baek, Gwangryeol ; Ji Wang Ko ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), S. 3861-3867
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    A 1.2 V, Highly Reliable RHBD 10T SRAM Cell for Aerospace Application
    Y B Nithin Kumar ; Suraj Singh Dohar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2265-2270
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