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    Toward Monolithically Integrated Hybrid CMOS-NEM Circuits
    Horace-Herron, Kelsey ; Usai, Giulia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), S. 6430-6436
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    Advancing Monolayer 2-D nMOS and pMOS Transistor Integration From Growth to Van Der Waals Interface Engineering for Ultimate CMOS Scaling
    Naylor, Carl H. ; Dorow, Chelsey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), S. 6592-6598
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    Battery-Less Electronic Layer Detectors Array (ELDA) for In-Tool DUV Detection by FinFET CMOS Technology
    Chrong Jung Lin ; Lin, Wei-Hwa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), S. 4972-4976
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    Low-Voltage, High-Brightness Silicon Micro-LEDs for CMOS Photonics
    Kramnik, Danielius ; Nong, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-08-01), S. 3870-3875
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    Benchmarking Silicon FinFET With the Carbon Nanotube and 2D-FETs for Advanced Node CMOS Logic Application
    Uttam Kumar Das ; Muhammad Mustafa Hussain
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), S. 3643-3648
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    A Study on the Isolation Ability of <u>LOC</u>al <u>O</u>xidation of <u>SiC</u> (LOCOSiC) for 4H-SiC CMOS Process
    Chia Lung Hung ; Yu Xin Wen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), S. 6644-6647
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    TCAD-Based Assessment of the Lateral GAA Nanosheet Transistor for Future CMOS
    Fossum, Jerry G. ; Ya Chi Huang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), S. 6586-6591
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    Device Parameter-Based Analytical Modeling of Power Supply Induced Jitter in CMOS Inverters
    Jai Narayan Tripathi ; Shrimali, Hitesh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), S. 3268-3275
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    Demonstration of CMOS-Compatible Multi-Level Graphene Interconnects With Metal Vias
    Banerjee, Kaustav ; Agashiwala, Kunjesh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 2083-2091
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    Schottky-Embedded Silicon-Controlled Rectifier With High Holding Voltage Realized in a 0.18-μm Low-Voltage CMOS Process
    Peng, Bo-Wei ; Chang, Rong-Kun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1764-1771
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    3-D CMOS Chip Stacking for Security ICs Featuring Backside Buried Metal Power Delivery Networks With Distributed Capacitance
    Miura, Noriyuki ; Okidono, Takaaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 2077-2082
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Reconfigurable MoTe2 Field-Effect Transistors and its Application in Compact CMOS Circuits
    Chen, Jing ; Wu, Xiao-Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), S. 4748-4753
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    Analysis of Charge Transfer Potential Barrier in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensors
    Sarkar, Mukul ; Khan, Uzma
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), S. 2770-2777
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    0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
    Mendes, Paulo ; Almeida, Goncalo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2167-2172
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The Impact of Holding Voltage of Transient Voltage Suppressor (TVS) on Signal Integrity of Microelectronics System With CMOS ICs Under System-Level ESD and EFT/Burst Tests
    Shen, Yu-Shu ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2152-2159
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Empirical Large-Signal Modeling of mm-Wave FDSOI CMOS Based on Angelov Model
    Rudolph, Matthias ; Dang Khoa Huynh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1446-1453
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    Staggered Pixel Layout to Reduce Area and Increase Full Well Capacity in CMOS Image Sensors
    Musolino, M. ; Choubey, Bhaskar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), S. 572-577
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    CMOS Pixel Potentials Extraction Method From Test Structures Based on EKV Model
    Ricq, S. ; Doyen, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), S. 2835-2840
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    A Sun-Tracking CMOS Image Sensor With Black-Sun Readout Scheme
    Kim, Hyeon-June
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), S. 1115-1120
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    Buried Power Rail Integration With FinFETs for Ultimate CMOS Scaling
    Paolillo, S. ; Boccardi, Guillaume ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), S. 5349-5354
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