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    Influence of Fin-Like Configuration Parameters on the Linearity of AlGaN/GaN HEMTs
    Zhu, Jiejie ; Wang, Pengfei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1563-1569
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    Temperature-dependent nonlinearities in GaN/AlGaN HEMTs
    A. F. Mehdi Anwar ; Islam, S.S.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-05-01), S. 710-717
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    AlGaAs/InGaAs heterostructure doped-channel FET's exhibiting good electrical performance at high temperatures
    Yang, Shih-Cheng ; Chiu, Hsien-Chin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001), S. 2210-2215
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    Design and performance analysis of InP-based high-speed and high-sensitivity optoelectronic integrated receivers
    John, Eugene ; Das, Mukunda B.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994), S. 162-172
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    Fully Integrated 2.4-GHz Flexible Rectifier Using Chemical-Vapor-Deposition Graphene MMIC Process
    Negra, Renato ; Wei, Muh-Dey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, 2021
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    DC-30 GHz DPDT Switch Matrix Design in High Resistivity Trap-Rich SOI
    Ma, Kaixue ; Shyam, Parthasarathy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), S. 3548-3554
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    Amplifier Design Using Vertical InAs Nanowire MOSFETs
    Jansson, Kristofer ; Wernersson, Lars-Erik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), S. 2353-2359
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    35-GHz performance of single and quadruple power heterojunction HEMT's
    Sovero, Emilio A. ; Hill, W.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 33 (1986-10-01), S. 1434-1438
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    Buried channel GaAs MESFET's—Scattering parameter and linearity dependence on the channel doping profile
    Dekkers, J.J.M. ; Ponse, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 28 (1981-09-01), S. 1065-1070
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    A high-yield, 3—7-GHz, 0.5-W push-pull GaAs MMIC amplifier
    Moghe, S.B. ; Genin, R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 33 (1986-12-01), S. 2069-2072
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An Integrated a-IGZO UHF Energy Harvester for Passive RFID Tags
    Heremans, Paul ; Chasin, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), S. 3289-3295
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    Monolithic integration of a planar embedded InGaAs p-i-n detector with InP depletion-mode FET's
    Liao, A.S.H. ; Bergano, N.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 32 (1985-11-01), S. 2319-2321
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Design of an RF Transmit/Receive Switch Using LDMOSFETs With High Power Capability and Low Insertion Loss
    Gong, Jeng ; Hung, Chung-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-06-01), S. 1722-1727
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    A High-Power RF Switch IC Using AlGaN/GaN HFETs With Single-Stage Configuration
    Matsuno, T. ; Egawa, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-08-01), S. 1893-1899
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    BCB-bridged distributed wideband SPST switch using 0.25-/spl mu/m In/sub 0.5/Al/sub 0.5/As--In/sub 0.5/Ga/sub 0.5/As metamorphic HEMTs
    Chan, Yi-Jen ; Wang, Wen-Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005), S. 1-5
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    0.2-μm gate-length InGaP-InGaAs DCFETs for c-band MMIC amplifier applications
    Chan, Yi-Jen ; Chiu, Hsien-Chin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-07-01), S. 1599-1603
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A light-transmitting two-dimensional photodetector array using a-Si pin photodiodes and poly-Si TFT's integrated on a transparent substrate
    Kimura, Kazuo ; Okamura, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994), S. 180-185
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    An ultra-high-speed optoelectronic integrated receiver for fiber-optic communications
    Hayashi, H. ; Sasaki, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992), S. 2254-2259
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    Monolithically integrated InGaAs p-i-n InP-MISFET PINFET grown by chloride vapor phase epitaxy
    Garbinski, P.A. ; Olsson, N.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-11-01), S. 2611-2611
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    Monolithically integrated receiver front end: In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As p-i-n amplifier
    Chang, Robert P. H. ; Zilko, J.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 35 (1988), S. 1439-1444
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xs 0 - 576
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