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    Polarization Properties of InGaN Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser With Pipe Distributed Bragg Reflector
    Han, Jung ; Chen, Yi-Yun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022), S. 201-204
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    Vertical Electric Field-Induced Abnormal Capacitance–Voltage Electrical Characteristics in a-InGaZnO TFTs
    Chen, Jian-Jie ; Huang, Jen-Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), S. 4431-4436
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    Monolithic Integrated Normally OFF GaN Power Device With Antiparallel Lateral Schottky Barrier Controlled Schottky Rectifier
    Liu, Xinyu ; Kang, Xuanwu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1778-1783
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    Unraveling the Origin of Low Optical Efficiency for Quantum Dot White Light-Emitting Diodes From the Perspective of Aggregation-Induced Scattering Effect
    Li, Zongtao ; Deng, Zi-Hao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1738-1745
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    On the Optimization of Performance and Reliability in a-InGaZnO Thin-Film Transistors by Versatile Light Shielding Design
    Sze, Simon M. ; Chien, Yu-Chieh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1654-1658
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    Controlling Phosphor Particle Distribution for High-Angular-Color-Uniformity and Low-Cost LEDs Based on Thermalcapillary Flow
    Liu, Sheng ; Zhang, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), S. 592-596
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    Interface Charge Effects on 2-D Electron Gas in Vertical-Scaled Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure
    Shen, Bo ; Zheng, Yingkui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021), S. 36-41
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    Quantum Dot With a Diamond-Shaped Channel MOSFET on a Bulk Si Substrate
    Xu, Renren ; Zhang, Qinzhu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021), S. 405-410
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    Quadruple Gate-Recessed AlGaN/GaN Fin-Nanochannel Array Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors
    Hsin Ying Lee ; Jian, Jhang-Jie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021), S. 42-48
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    Transistor Subthreshold Swing Lowered by 2-D Heterostructures
    Yan, Zhaoyi ; Ren, Jie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021), S. 411-414
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    Reliability-Aware Statistical BSIM Compact Model Parameter Generation Methodology
    Ding, Jie ; Asenov, Asen
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), S. 4777-4783
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    Theoretical Analysis and PIC Simulation of a 140-GHz Double Confocal Waveguide Gyro-TWA
    Wu, Zhenhua ; Liu, Shenggang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), S. 4453-4459
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    Impact of Gate–Source/Drain Underlap on the Performance of Monolayer SiC Schottky-Barrier Field-Effect Transistor
    Liu, Gang ; Cai, Xi-Ya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), S. 4130-4135
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    Effects of the Magnetic Field Taper on a Continuously Frequency-Tunable Gyrotron
    Song, Tao ; Liu, Shenggang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), S. 3815-3820
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    Theoretical Investigations on Forward-Wave and Backward-Wave Operation of a Frequency-Tunable Gyrotron
    Zhang, Chen ; Zhong, Renbin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), S. 3809-3814
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    Hydrogen Diffusion and Threshold Voltage Shifts in Top-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors
    Chen, Jian-Jie ; Zhou, Kuan-Ju ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), S. 3123-3128
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    Enhancement-/Depletion-Mode TiO2 Thin-Film Transistors via O2/N2 Preannealing
    Jia, Meng ; Lin, Guangyang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-06-01), S. 2346-2351
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    Study on the Photoluminescence Intensity, Thermal Performance, and Color Purity of Quantum Dot Light-Emitting Diodes Using a Pumping-Light Absorber
    Li, Jiasheng ; Du, Xuewei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-06-01), S. 2418-2424
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    Investigations on the Effect of the Electron Beam Misalignments on a Continuously Frequency-Tunable Gyrotron
    Chen, Qiang ; Liu, Shenggang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), S. 1819-1825
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    A Low-Voltage, Premodulation Terahertz Oscillator Based on a Carbon Nanotube Cold Cathode
    Zhang, Yu ; Chen, Qingyun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-03-01), S. 1266-1269
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