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    CMOS-Compatible Contacts to n-InP
    Sagnes, Isabelle ; Jeremy Da Fonseca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4408-4414
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    Design and Modeling of Blue-Enhanced and Bandwidth-Extended PN Photodiode in Standard CMOS Technology
    Hitchcock, Collin ; Zhang, Yiwen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-07-01), S. 2859-2866
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    Integrating Poly-Silicon and InGaZnO Thin-Film Transistors for CMOS Inverters
    Yuanjun, Hsu ; Wong, Man ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), S. 3668-3671
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    CMOS Compatible Electrostatically Formed Nanowire Transistor for Efficient Sensing of Temperature
    Coen, Tom ; Rosenwaks, Yossi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), S. 3836-3840
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    Modeling of CMOS Devices and Circuits on Flexible Ultrathin Chips
    Dahiya, Ravinder ; Gupta, Shoubhik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-05-01), S. 2038-2046
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    1-kb FinFET Dielectric Resistive Random Access Memory Array in $1\times $ nm CMOS Logic Technology for Embedded Nonvolatile Memory Applications
    Chrong Jung Lin ; Chih, Yue-Der ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-11-01), S. 4273-4278
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    Device and Circuit Performance of the Future Hybrid III–V and Ge-Based CMOS Technology
    Benbakhti, Brahim ; Soltani, Ali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-10-01), S. 3893-3899
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    A Short-Channel-Effect-Degraded Noise Margin Model for Junctionless Double-Gate MOSFET Working on Subthreshold CMOS Logic Gates
    Chiang, Te-Kuang
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), S. 3354-3359
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    Out-of-Plane Strain Effects on Physically Flexible FinFET CMOS
    Fahad, Hossain M. ; Ghoneim, Mohamed T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-07-01), S. 2657-2664
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    Si CMOS Image-Sensors Designed With Hydrogen-Ion Implantation Induced Nanocavities for Enhancing Output Voltage Sensing Margin via Proximity Gettering
    Kim, Il-Hwan ; Park, Jea-Gun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-05-01), S. 2345-2349
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    Self-Selection RRAM Cell With Sub- $\mu \text{A}$ Switching Current and Robust Reliability Fabricated by High- $K$ /Metal Gate CMOS Compatible Technology
    Chen, Sijie ; Huang, Peng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-11-01), S. 4295-4301
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    $1\times$ - to $2\times$ -nm perpendicular MTJ Switching at Sub-3-ns Pulses Below $100~\mu$ A for High-Performance Embedded STT-MRAM for Sub-20-nm CMOS
    Noguchi, Hiroki ; Fukumoto, Miyoshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-02-01), S. 427-431
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    CMOS-SOI-MEMS Thermal Antenna and Sensor for Uncooled THz Imaging
    Blank, Tanya ; Sharon Bar-Lev Shefi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-03-01), S. 1260-1265
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    Diffusion and Gate Replacement: A New Gate-First High- <tex-math notation='LaTeX'>$k$ </tex-math>/Metal Gate CMOS Integration Scheme Suppressing Gate Height Asymmetry
    Schram, Tom ; Ritzenthaler, Romain ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), S. 265-271
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    High-Temperature Voltage and Current References in Silicon Carbide CMOS
    Francis, A. M. ; Holmes, Jim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), S. 2455-2461
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    High-Performance Plasmonic THz Detector Based on Asymmetric FET With Vertically Integrated Antenna in CMOS Technology
    Park, Kibog ; Min Woo Ryu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-04-01), S. 1742-1748
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    Enhanced Near-Infrared Response CMOS Image Sensors Using High-Resistivity Substrate: Photodiodes Design Impact on Performances
    Michel Breart de Boisanger ; Lincelles, Jean-Baptiste ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), S. 120-127
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    A Charge Transfer Model for CMOS Image Sensors
    Yao, Suying ; Theuwissen, Albert J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), S. 32-41
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    Gate Engineering to Improve Effective Resistance of 28-nm High- <tex-math notation='LaTeX'>$k$ </tex-math> Metal Gate CMOS Devices
    Kim, SoYoung ; Lee, Ho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), S. 259-264
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    Systematic Investigation of Self-Heating Effect on CMOS Logic Transistors From 20 to 5 nm Technology Nodes by Experimental Thermoelectric Measurements and Finite Element Modeling
    Liao, Min-Sheng ; Chia Ping Hsieh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-02-01), S. 646-648
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