Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
71 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Sprache

71 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Long-Term Degradation Behavior of 2.3-\mu\m Wavelength Highly Strained InAs/InP MQW-DFB Lasers With a p-/n-InP Buried Heterostructure.
    Takeshita, Tatsuya ; Sato, Tomonari ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 1056-1062
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Influence of Thickness of p-InGaN Layer on the Device Physics and Material Qualities of GaN-Based LEDs With p-GaN/ InGaN Heterojunction.
    Lin, Zhiting ; Chen, Xiaofeng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), Heft 12, S. 5373-5380
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Spatiotemporal Summation and Recognition Effects for a Dual-Emitter Light-Induced Neuromorphic Device.
    Yang, Yongchao ; Shi, Zheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 308-313
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Extraction of Location and Energy Level of the Trap Causing Random Telegraph Noise at Reverse-Biased Region in GaN-Based Light-Emitting Diodes.
    Park, Jungjin ; Kang, Donghoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 12, S. 3495-3502
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Comprehensive Predictive Device Modeling and Analysis of a Si/Si1-xGex Multiquantum-Well Detector.
    Shafique, Atia ; Abbasi, Shahbaz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4353-4361
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Investigation of DIBS-Deposited CdZnO/ZnO-Based Multiple Quantum Well for Large-Area Photovoltaic Application.
    Siddharth, Gaurav ; Singh, Ruchi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 5587-5592
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Hybrid White Light-Emitting Diodes Utilizing Radiative or Nonradiative Energy Transfer for Wavelength Conversion.
    Cao, X. A. ; Li, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 4891-4896
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Epitaxial Growth of InGaN Multiple-Quantum-Well LEDs With Improved Characteristics and Their Application in Underwater Optical Wireless Communications.
    Tsai, Chia-Lung ; Lu, Yi-Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4346-4352
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Planar GaN-Based Blue Light-Emitting Diodes With Surface p-n Junction Formed by Selective-Area Si–Ion Implantation.
    Lee, Ming-Lun ; Chiang, Kai-Jen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 4156-4160
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Stress Engineering During the Fabrication of InGaN/GaN Vertical Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum Confined Stark Effect.
    Ki, Paulo ; Jiang, Quanzhong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4796-4801
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    GaN-Based UV Light-Emitting Diodes With a Green Indicator Through Selective-Area Photon Recycling.
    Chen, Fu-Bang ; Sheu, Jinn-Kong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-03-01), Heft 3, S. 1122-1127
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Analysis of the Thickness Effect of Undoped Electron-Blocking Layer in Ultraviolet LEDs.
    Lin, Wen-Yu ; Wang, Tzu-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-11-01), Heft 11, S. 3790-3795
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Electrical Polarization Effects on the Optical Polarization Properties of AlGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes.
    Chang, Yi-An ; Chen, Fang-Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), Heft 9, S. 3233-3238
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Efficient Carrier Transport for AlGaN-Based Deep-UV LEDs With Graded Superlattice p-AlGaN.
    Mondal, Ramit Kumar ; Chatterjee, Vijay ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1674-1679
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Influences of Microhole Depth and SiO2 Nanoparticle/Microsphere Passivation Layer on the Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes.
    Wang, Zih-Fong ; Liu, Wen-Chau
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), Heft 10, S. 4211-4215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Impedance Elements of Significant Junctions in InGaN Light-Emitting Diodes Studied by Electric Modulus Spectroscopy.
    Chien, Forest Shih-Sen ; Khasanah, Riza Ariyani Nur ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3393-3398
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -