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    Conduction Mechanisms and Low-Frequency Electrical Noise Studies in pin InGaAs/InAlAs Strained MQW Photodiodes.
    Pires, Mauricio P. ; Guastavino, Francis C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), Heft 9, S. 1949-1953
    Online academicJournal
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    Improved 634 nm MQW AlGaInp LEDs Performance With Novel Tensile Strain Barrier Reducing Layer.
    Su, Juh-Yuh ; Hsin-Chuan Wang, Victor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 12, S. 2388-2392
    Online academicJournal
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    Influence of Thickness of p-InGaN Layer on the Device Physics and Material Qualities of GaN-Based LEDs With p-GaN/ InGaN Heterojunction.
    Lin, Zhiting ; Chen, Xiaofeng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), Heft 12, S. 5373-5380
    Online academicJournal
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    Improved 634 nm MQW AlGaInP LEDs Performance With Novel Tensile Strain Barrier Reducing Layer.
    Su, Juh-Yuh ; Wang, Hsin-Chuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 12, S. 2388-2392
    Online academicJournal
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    Extraction of Location and Energy Level of the Trap Causing Random Telegraph Noise at Reverse-Biased Region in GaN-Based Light-Emitting Diodes.
    Park, Jungjin ; Kang, Donghoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 12, S. 3495-3502
    Online academicJournal
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    Investigation of DIBS-Deposited CdZnO/ZnO-Based Multiple Quantum Well for Large-Area Photovoltaic Application.
    Siddharth, Gaurav ; Singh, Ruchi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 5587-5592
    Online academicJournal
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    Epitaxial Growth of InGaN Multiple-Quantum-Well LEDs With Improved Characteristics and Their Application in Underwater Optical Wireless Communications.
    Tsai, Chia-Lung ; Lu, Yi-Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4346-4352
    Online academicJournal
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    High-Performance GaN-Based LEDs on Si Substrates: The Utility of Ex Situ Low-Temperature AlN Template With Optimal Thickness.
    Wang, Haiyan ; Lin, Zhiting ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4540-4546
    Online academicJournal
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    GaN-Based UV Light-Emitting Diodes With a Green Indicator Through Selective-Area Photon Recycling.
    Chen, Fu-Bang ; Sheu, Jinn-Kong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-03-01), Heft 3, S. 1122-1127
    Online academicJournal
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    Electrical Polarization Effects on the Optical Polarization Properties of AlGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes.
    Chang, Yi-An ; Chen, Fang-Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), Heft 9, S. 3233-3238
    Online academicJournal
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    Efficient Carrier Transport for AlGaN-Based Deep-UV LEDs With Graded Superlattice p-AlGaN.
    Mondal, Ramit Kumar ; Chatterjee, Vijay ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1674-1679
    Online academicJournal
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    Influences of Microhole Depth and SiO2 Nanoparticle/Microsphere Passivation Layer on the Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes.
    Wang, Zih-Fong ; Liu, Wen-Chau
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), Heft 10, S. 4211-4215
    Online academicJournal
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    Impedance Elements of Significant Junctions in InGaN Light-Emitting Diodes Studied by Electric Modulus Spectroscopy.
    Chien, Forest Shih-Sen ; Khasanah, Riza Ariyani Nur ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3393-3398
    Online academicJournal
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    Improved Quantum Efficiency in Semipolar (1\bar101) InGaN/GaN Quantum Wells Grown on GaN Prepared by Lateral Epitaxial Overgrowth.
    Zhu, Lihong ; Zeng, Fanming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), Heft 11, S. 3753-3759
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    High-Power and High-Efficiency InGaN-Based Light Emitters.
    Laubsch, Ansgar ; Sabathil, Matthias ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010), Heft 1, S. 79-87
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    Modeling of Multiple-Quantum-Well Solar Cells Including Capture, Escape, and Recombination of Photoexcited Carriers in Quantum Wells.
    Ramey, Stephen M. ; Khoie, Rahim
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-05-01), Heft 5, S. 1179-1187
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    Thermodynamic consistency of sub-bandgap absorbing solar cell proposals.
    Luque, Antonio ; Marti, Antonio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-09-01), Heft 9, S. 2118-2124
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    Si and Zn Co-Doped InGaN-GaN White Light-Emitting Diodes.
    Chang, S.J. ; Wu, L.W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-02-01), Heft 2, S. 519-521
    Online academicJournal
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    Nitride-Based Green Light-Emitting Diodes With High Temperature GaN Barrier Layers.
    Wu, L.W. ; Chang, S.J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-08-01), Heft 8, S. 1766-1770
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    Experimental Investigations of the Effect of the Mode-Hopping on the Noise Properties of InGaAsP Fabry-Pérot Multiple-Quantum-Well Laser Diodes.
    Palenskis, Vilius ; Matukas, Jonas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-02-01), Heft 2, S. 366-371
    Online academicJournal
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