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    Signal-to-Noise Ratio Enhancement in Cardiac Pulse Measurements Using Multitap CMOS Image Sensors With In-Pixel Temporal Redundant Samplings.
    Cao, Chen ; Hakamata, Masashi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2851-2857
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    A Global Shutter Wide Dynamic Range Soft X-Ray CMOS Image Sensor With Backside- Illuminated Pinned Photodiode, Two-Stage Lateral Overflow Integration Capacitor, and Voltage Domain Memory Bank.
    Shike, Hiroya ; Kuroda, Rihito ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2056-2063
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    Ambient Temperature-Induced Device Self-Heating Effects on Multi-Fin Si CMOS Logic Circuit Performance in N-14 to N-7 Scaled Technologies.
    Venkateswarlu, Sankatali ; Nayak, Kaushik
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1530-1536
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    A High Near-Infrared Sensitivity Over 70-dB SNR CMOS Image Sensor With Lateral Overflow Integration Trench Capacitor.
    Murata, Maasa ; Kuroda, Rihito ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1653-1659
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    Monolithically Cointegrated Tensile Strained Germanium and In x Ga 1-x As FinFETs for Tunable CMOS Logic.
    Joshi, Rutwik ; Karthikeyan, Sengunthar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4175-4182
    Online academicJournal
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    Fabrication and Analysis of Vertical Thin Poly-Si Channel Transfer Gate Pixels for a 3-D CMOS Image Sensor.
    Park, Sung-Kun ; Song, Il-Ho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2917-2924
    Online academicJournal
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    Low-Voltage, High-Brightness Silicon Micro-LEDs for CMOS Photonics.
    Xue, J. ; Kim, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 3870-3875
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    Demonstration of 3-D SRAM Cell by 3-D Monolithic Integration of InGaAs n-FinFETs on FDSOI CMOS With Interlayer Contacts.
    Deshpande, Veeresh ; Hahn, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4503-4509
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    CMOS-Compatible Ti/TiN/Al Refractory Ohmic Contact for GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Grown on Ge/Si Substrate.
    Wang, Yue ; Loke, Wan Khai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6065-6068
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    Prospects for Wide Bandgap and Ultrawide Bandgap CMOS Devices.
    Bader, Samuel James ; Lee, Hyunjea ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), Heft 10, S. 4010-4020
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    CMOS-Compatible Low-Power Gated Diode Synaptic Device for Hardware- Based Neural Network.
    Park, Min-Kyu ; Yoo, Ho-Nam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-02-01), Heft 2, S. 832-837
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