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    Stress in Silicon–Germanium Nanowires: Layout Dependence and Imperfect Source/Drain Epitaxial Stressors.
    Eneman, Geert ; Veloso, Anabela ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 5380-5385
    Online academicJournal
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    Detailed Modeling of Sub-100-nm MOSFETs Based on Schrödinger DD Per Subband and Experiments and Evaluation of the Performance Gap to Ballistic Transport.
    Curatola, Gilberto ; Doornbos, Gerben ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-08-01), Heft 8, S. 1851-1858
    Online academicJournal
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    Record GmSAT/SSSAT and PBTI Reliability in Si-Passivated Ge nFinFETs by Improved Gate-Stack Surface Preparation.
    Arimura, H. ; Dekkers, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5387-5392
    Online academicJournal
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    First Demonstration of Vertically Stacked Gate-All-Around Highly Strained Germanium Nanowire pFETs.
    Capogreco, E. ; Witters, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 5145-5150
    Online academicJournal
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    Strained Germanium Gate-All-Around pMOS Device Demonstration Using Selective Wire Release Etch Prior to Replacement Metal Gate Deposition.
    Witters, L. ; Arimura, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4587-4593
    Online academicJournal
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    Fabrication, Characterization, and Analysis of Ge/GeSn Heterojunction p-Type Tunnel Transistors.
    Schulte-Braucks, Christian ; Ghosh, Ram Krishna ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 4354-4362
    Online academicJournal
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    THRU-Based Cascade De-embedding Technique for On-Wafer Characterization of RF CMOS Devices.
    Loo, Xi Sung ; Yeo, Kiat Seng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-09-01), Heft 9, S. 2892-2899
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs.
    Buhler, Rudolf Theoderich ; Eneman, Geert ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 4, S. 1079-1084
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Ge-Source Vertical Tunnel FETs Using a Novel Replacement-Source Integration Scheme.
    Rooyackers, Rita ; Vandooren, Anne ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 4032-4039
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High-Performance Si0.45Ge0.55 Implant-Free Quantum Well pFET With Enhanced Mobility by Low-Temperature Process and Transverse Strain Relaxation.
    Yamaguchi, Shimpei ; Witters, Liesbeth Johanna ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 3985-3990
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Fabrication and Analysis of a Si/Si0.55Ge0.45 Heterojunction Line Tunnel FET.
    Walke, Amey M. ; Vandooren, Anne ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 3, S. 707-715
    Online academicJournal
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    Boron Delta-Doping Dependence on Si/SiGe Resonant Interband Tunneling Diodes Grown by Chemical Vapor Deposition.
    Ramesh, Anisha ; Growden, Tyler A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), Heft 3, S. 602-609
    Online academicJournal
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    Layout Scaling of \Si1-x\Gex \-Channel pFETs.
    Eneman, Geert ; Yamaguchi, Shinpei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-08-01), Heft 8, S. 2544-2550
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of the Ge Content on the Bandgap-Narrowing Induced Leakage Current of Recessed Si<subscript>1-퓍</subscript> Ge<subscript>퓍</subscript> Source/Drain Junctions.
    Gonzalez, Mireia Bargallo ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-07-01), Heft 7, S. 1418-1423
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Factors Influencing the Leakage Current in Embedded SiGe Source/Drain Junctions.
    Simoen, Eddy ; Gonzalez, Mireia Bargallo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-03-01), Heft 3, S. 925-930
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Planar Bulk MOSFETs Versus FinFETs: An Analog/RF Perspective.
    Subramanian, Vaidy ; Parvais, Bertrand ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 12, S. 3071-3079
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    Processing Aspects in the Low-Frequency Noise of nMOSFETs on Strained-Silicon Substrates.
    Simoen, Eddy ; Eneman, Geert ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-05-01), Heft 5, S. 1039-1047
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    Boron Pocket and Channel Deactivation in nMOS Transistors With SPER Junctions.
    Duffy, Ray ; Aboy, Maria ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006), Heft 1, S. 71-77
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Measurement and Simulation of Boron Diffusion in Strained Si[sub 1-x]Ge[sub x] Epitaxial Layers.
    Rajendran, Krishnasamy ; Schoenmaker, Wim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-09-01), Heft 9, S. 2022-2031
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    Radiation damage and annealing in GaAs solar cells.
    Loo, R.Y. ; Kamath, G.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 37 (1990-01-02), Heft 2, S. 485-497
    Online academicJournal
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