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    A Novel Array Programming Scheme for Large Matrix Processing in Flash-Based Computing-in-Memory (CIM) With Ultrahigh Bit Density
    Feng, Yang ; Zhang, Dong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-02-01), S. 461-467
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    Energy-Efficient Advanced Data Encryption System Using Spin-Based Computing-in-Memory Architecture
    Brajesh Kumar Kaushik ; Nisar, Arshid ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-04-01), S. 1736-1742
    Online unknown
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    The Impact of Thermal Enhance Layers on the Relaxation Effect in Analog RRAM.
    Xi, Yue ; Tang, Jianshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4254-4258
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    Spintronic Computing-in-Memory Architecture Based on Voltage-Controlled Spin–Orbit Torque Devices for Binary Neural Networks.
    Wang, Haotian ; Kang, Wang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 4944-4950
    Online academicJournal
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    Heterogeneous 3-D Integration of Multitier Compute-in-Memory Accelerators: An Electrical-Thermal Co-Design.
    Peng, Xiaochen ; Kaul, Ankit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 5598-5605
    Online academicJournal
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    Crossbar-Level Retention Characterization in Analog RRAM Array-Based Computation-in-Memory System.
    Zhao, Meiran ; Gao, Bin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 3813-3818
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    Compact Reliability Model of Analog RRAM for Computation-in-Memory Device-to-System Codesign and Benchmark.
    Liu, Yuyi ; Zhao, Meiran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2686-2692
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    Energy-Efficient All-Spin BNN Using Voltage-Controlled Spin-Orbit Torque Device for Digit Recognition.
    Shreya, Sonal ; Verma, Gaurav ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021), Heft 1, S. 385-392
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    PCM-Based Analog Compute-In-Memory: Impact of Device Non-Idealities on Inference Accuracy.
    Sun, X. ; Khwa, W. S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 5585-5591
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