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    First Demonstration of Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3-D Integration With Dual Work Function Gate for Ultralow-Power SRAM and RF Applications
    Chang, Shu-Wei ; Lu, Tsung-Han ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 4, S. 2101-2107
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    First Demonstration of Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3-D Integration With Dual Work Function Gate for Ultralow-Power SRAM and RF Applications
    Chang, Shu-Wei ; Lu, Tsung-Han ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-04-01), S. 2101-2107
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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    Downscaling metal-oxide thin-film transistors to sub-50 nm in an exquisite film-profile engineering approach
    Lyu, Rong-Jhe ; Shie, Bo-Shiuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-03-01), Heft 3, S. 1069-1075
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A film-profile-engineered 3-D InGaZnO inverter technology with systematically tunable threshold voltage
    Lyu, Rong-Jhe ; Huang, Tiao-Yuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-09-01), Heft 9, S. 3533-3539
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    GaN-based enhancement-mode meta oxide semiconductor high-electron mobility transistors using LiNbO3 ferroelectric insulator on gate-recessed structure
    Lee, Ching-Ting ; Yang, Chang-Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 8, S. 2481-2487
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Temperature-Dependent Instability of Bias Stress in InGaZnO Thin-Film Transistors
    Chang, Geng-Wei ; Chang, Ting-Chang ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 61 (2014), Heft 6, S. 2119-2124
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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    Hetero-tunnel field-effect-transistors with epitaxially grown germanium on silicon
    Min Hung Lee ; Lin, Jhe-Cyun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 7, S. 2423-2427
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effects of applied mechanical uniaxial and biaxial tensile strain on the flatband voltage of (001), (110), and (111) metal-oxide-silicon capacitors
    Peng, Cheng-Yi ; Yang, Ying-Jhe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-08-01), Heft 8, S. 1736-1745
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Effects of Applied Mechanical Uniaxial and Biaxial Tensile Strain on the Flatband Voltage of (001), (110), and (111) Metal-Oxide-Silicon Capacitors.
    Peng, Cheng-Yi ; Yang, Ying-Jhe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-08-01), Heft 8, S. 1736-1745
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Downscaling Metal—Oxide Thin-Film Transistors to Sub-50 nm in an Exquisite Film-Profile Engineering Approach
    Lyu, Rong-Jhe ; Lin, Horng-Chih ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-03-01), S. 1069-1075
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    GaN-Based Enhancement-Mode Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron Mobility Transistors Using LiNbO3Ferroelectric Insulator on Gate-Recessed Structure
    Yang, Chang-Lin ; Chang, Jhe-Hao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-08-01), S. 2481-2487
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Temperature-Dependent Instability of Bias Stress in InGaZnO Thin-Film Transistors
    Tai, Ya-Hsiang ; Chang, Kuan-Chang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-06-01), S. 2119-2124
    Online unknown
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    Implementation of Film Profile Engineering in the Fabrication of ZnO Thin-Film Transistors
    Lyu, Rong-Jhe ; Huang, Tiao-Yuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-05-01), S. 1417-1422
    Online unknown
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    Effects of Applied Mechanical Uniaxial and Biaxial Tensile Strain on the Flatband Voltage of (001), (110), and (111) Metal–Oxide–Silicon Capacitors
    Chang, Shu-Tong ; Peng, Cheng-Yi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-08-01), S. 1736-1745
    Online unknown
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