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    Piezotronic Bipolar Junction Transistor as a Wearable Energy Harvester
    Iranmanesh, Emad ; Liang, Zihao ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 4905-4912
    Online serialPeriodical
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    Stably Saturated Output Current Characteristics and Hot-Carrier Reliability of a-InGaZnO Thin-Film Transistors With Source-Connected Field Plate
    Tu, Yu-Fa ; Huang, Jen-Wei ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 4669-4673
    Online serialPeriodical
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A Physics-Based Model of Charge Trapping Behavior of Si FeFET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Structure
    Sun, Xiaoqing ; Chai, Junshuai ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 4641-4646
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A Compact Model of Double Hysteresis Loop for Antiferroelectric Capacitor
    Liao, Min ; Chai, Junshuai ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 4940-4944
    Online serialPeriodical
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Impact of Saturated Spontaneous Polarization on the Endurance Fatigue of Si FeFET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Gate Structure
    Liao, Min ; Xu, Hao ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 8, S. 4055-4061
    Online serialPeriodical
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    On the Existence of Negative Capacitance: Examining Ferroelectric-Dielectric Stack Experiments Using the NLS and LK Models
    Cam, Thomas ; Byers, Jacob ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 7, S. 3542-3550
    Online serialPeriodical
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Multiobjective Design Optimization and Experimental Verification of a High-Performance 200-W Ku -Band CW Helix TWT
    Deng, Wen-Kai ; Shang, Xin-Wen ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 7, S. 3878-3884
    Online serialPeriodical
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Hydrothermal Synthesis of ZnO Nanospheres Using Apple Pectin as Biotemplate and Application for UV Sensing
    Jian, Jia-Cheng ; Chang, Yu-Chi ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 7, S. 3808-3812
    Online serialPeriodical
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Dynamic Concentration-Dependent Analytical I, – V Model for LG-GFET Biosensor
    Wu, Yunqiu ; Xu, Tao ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 3255-3262
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Dual-Junctions Field Effect Transistor Based on MoS<subscript>2</subscript>/Te/MoS<subscript>2</subscript>
    Zhang, Kai ; Li, Sina ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 3347-3353
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Transconductance Overshoot, a New Trap-Related Effect in AlGaN/GaN HEMTs
    Zhan, Gao ; Rampazzo, Fabiana ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 3005-3010
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of Endurance Degradation Mechanism of Si FeFET With HfZrO Ferroelectric by an In Situ V<subscript>th</subscript> Measurement
    Shao, Xianzhou ; Chai, Junshuai ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 3043-3050
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Investigation of Threshold Voltage and Drain Current Degradations in Si<subscript>3</subscript>N<subscript>4</subscript>/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under X-Ray Irradiation
    Kuo, Hung-Ming ; Chang, Ting-Chang ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 5, S. 2216-2221
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Aligned Indium Oxide Nanofiber to Achieve High Mobility and High Stability Field-Effect Transistor
    Li, Lin-Kang ; Li, Jun ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 5, S. 2606-2611
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High-Performance Midwave Type-II Superlattice Infrared Photodetectors With a Stepped InAs/GaSb Absorber
    Yuan, Qi ; Li, Chuang ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 5, S. 2347-2351
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Portable One-Hand Braille Input System Enabled by Dual-Interlocked Tactile Sensors for Communication
    Dai, Songqiao ; Wang, Yancheng ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 5, S. 2465-2472
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Simulation of Pulse Sharpening Mechanism of Vertical Diamond Avalanche Diode
    Yang, Zhiqing ; Cao, Yan ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 4, S. 1769-1775
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Improved Vertical β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Schottky Barrier Diodes With Conductivity-Modulated p-NiO Junction Termination Extension
    Hao, Weibing ; Wu, Feihong ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 4, S. 2129-2134
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Au Nanoparticles/HfO₂/Fully Depleted Silicon-on-Insulator MOSFET Enabled Rapid Detection of Zeptomole COVID-19 Gene With Electrostatic Enrichment Process
    Wang, Haihua ; Liu, Jian ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 3, S. 1236-1242
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Novel In-Situ AlN/p-GaN Gate HEMTs With Threshold Voltage of 3.9 V and Maximum Applicable Gate Voltage of 12.1 V
    Wu, Yinhe ; Liu, Shuang ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 2, S. 424-428
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