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    academicJournal
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    On the Mean Free Path for Backscattering in K<subscript>B</subscript>T Layer of Bulk Nano-MOSFETs.
    Chen, Ming-Jer ; Lu, Li-Fang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 12, S. 3594-3598
    Online academicJournal
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    Contact-Free MEMS Devices for Reliable and Low-Power Logic Operations.
    Perrin, Y. ; Galisultanov, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2938-2943
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Separation of Channel Backscattering Coefficients in Nanoscale MOSFETs.
    Chen, Ming-Jer ; Huang, Huan-Tsung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-09-01), Heft 9, S. 1409-1414
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Separation of Channel Backscattering Coefficients in Nanoscale MOSFETs.
    Chen, Ming-Jer ; Huang, Huan-Tsung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-09-01), Heft 9, S. 1409-1415
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Proposal of an Intrinsic-Source Broken-Gap Tunnel FET to Reduce Band-Tail Effects on Subthreshold Swing: A Simulation Study.
    Sharma, Ankit ; Reza, Ahmed Kamal ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), Heft 6, S. 2597-2602
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Parabolic Potential Barrier-Oriented Compact Model for the κ<subscript>B</subscript>T Layer's Width in Nano-MOSFETs.
    Chen, Ming-Jer ; Lu, Li-Fang
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1265-1268
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    SOI TFET ION/IOFF Enhancement via Back Biasing.
    Guo, Alex ; Matheu, Peter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-10-01), Heft 10, S. 3283-3285
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Origin of the difference between the capacitance intercept voltage and the built-in potential
    Mieghem, P. Van
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993-12-01), Heft 12, S. 2365-2368
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    On the Mean Free Path for Backscattering in $k_{B}T$ Layer of Bulk Nano-MOSFETs
    Lu, Li-Fang ; Chen, Ming-Jer ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-12-01), S. 3594-3598
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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    A Parabolic Potential Barrier-Oriented Compact Model for the $k_{B}T$ Layer's Width in Nano-MOSFETs
    Chen, Ming-Jer ; Lu, Li-Fang
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), S. 1265-1268
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    SOI TFET $I_{\rm ON}/I_{\rm OFF}$ Enhancement via Back Biasing
    Liu, Tiehui ; Matheu, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-10-01), S. 3283-3285
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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