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    academicJournal
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    Tradeoff Between Low-Power Operation and Radiation Hardness of Fully Depleted SOI pMOSFET by Changing LDD Conditions
    Kurachi, I. ; Kobayashi, K. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 63 (2016), Heft 6, S. 2293-2298
    Online serialPeriodical
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    Behavior Analysis of an LDD Poly-Si TFT Using 2-D Device Simulation
    Kimura, M.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 3, S. 705-709
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Modeling and Simulation of Charge-Pumping Characteristics for LDD-MOSFET Devices With LOCOS Isolation
    Tahi, H. ; Djezzar, B. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 57 (2010), Heft 11, S. 2892-2901
    Online serialPeriodical
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    LDD and Back-Gate Engineering for Fully Depleted Planar SOI Transistors with Thin Buried Oxide
    Yan, R. ; Duane, R. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 57 (2010), Heft 6, S. 1319-1326
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Gate Length Scalability of n-MOSFET's Down to 30 nm: Comparison Between LDD and Non-LDD Structures
    Murakami, E. ; Yoshimura, T. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 47 (2000), Heft 4, S. 835-840
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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    Hot-Carrier-Induced Degradation of LDD Polysilicon TFTs
    Valletta, A. ; Mariucci, L. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 53 (2006), Heft 1, S. 43-50
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Improved Lifetime of Poly-Si TFTs With a Self-Aligned Gate-Overlapped LDD Structure
    Mishima, Y. ; Ebiko, Y.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 49 (2002), Heft 6, S. 981-985
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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    Arsenic/Phosphorus LDD Optimization by Taking Advantage of Phosphorus Transient Enhanced Diffusion for High Voltage Input/Output CMOS Devices
    Wang, H. C. H. ; Wang, C. C. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 49 (2002), Heft 1, S. 67-71
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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    A Temperature-Dependent DC Model for Quarter-Micron LDD pMOSFET's Operating in a Bi-MOS Structure
    Chew, K. W. ; Rofail, S. S. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 46 (1999), Heft 8, S. 1672-1684
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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    Effect of LDD Structure and Channel Poly-Si Thinning on a Gate-All-Around TFT (GAT) for SRAM's
    Miyamoto, S. ; Maegawa, S. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 46 (1999), Heft 8, S. 1693-1698
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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    Low-Frequency Noise in Proton Damaged LDD MOSFET's : 1998 European Solid-State Device Research Conference
    Hardy, T. ; Deen, M. J. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 46 (1999), Heft 7, S. 1339-1346
    Online serialPeriodical
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    Performance and reliability evaluation of high dielectric LDD spacer on deep sub-micrometer LDD MOSFET
    Guo, Jyh-Chyurn ; Lu, Chih-Yuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994-07-01), Heft 7, S. 1239-1248
    Online academicJournal
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    Modeling the fringing electric field on the threshold voltage of FD SOI nMOS devices with the LDD/Sidewall oxide spacer structure
    Lin, S.C. ; Kuo, J.B.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 12, S. 2559-5122
    Online academicJournal
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    Arsenic/phosphorus LDD optimization by taking advantage of phosphorus transient enhanced diffusion for high voltage input/output CMOS devices
    Howard Chih-Hao Wang ; Wang, Chih-Chiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002), Heft 1, S. 67-71
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Compact LDD nMOSFET degradation model
    Liu, Shau-Shen ; Jang,Sheng-Lyang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-07-01), Heft 7, S. 1538-1547
    Online academicJournal
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    Effective channel length and external seires resistance models of scaled LDD pMOSFETs perating in a Bi-MOS hybrid-mode environment
    Seah, Siau HIng Lionel ; Yeo, Kiat Seng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-05-01), Heft 5, S. 1001-1004
    Online academicJournal
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    academicJournal
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